基板回路設計・基板実装「実装業者の選び方」など解説資料12点進呈

PR部品調達に強い実装工場『相信』実装業者を選ぶ際のポイントをわかりやすく…

基板実装から組立配線まで一括で請け負うワンストップサービスを提供している当社がまとめた、 実装業者を選ぶ際のポイントをわかりやすくまとめた「実装業者の選び方」など、解説資料12点を進呈！ 基板実装業者を選ぶ際の注意事項やポイントをまとめた解説資料や、プリント基板実装概論など、プリント基板に関するお役立ち資料12点！ 【実装業者の選び方のポイント　解説資料一部 抜粋】 ■部品実装を専門とする会社...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社相信

アルミベース基板【アルミのGND化でノイズ・熱対策】

PRアルミ部のGND化を実現！アルミ部の利用度や設計の自由度が向上します

アルミベース基板というと基板材料メーカーから発売しているアルミの上にあらかじめ絶縁体がついているものが主流です。しかし、それだとアルミの厚さや基板部分の誘電率が既存のラインナップの中からしか選ぶことができず、設計に制限がありました。 そこで弊社では基材とアルミを貼り合わせる独自の製法を用いて、ご要望の基材とアルミでアルミベース基板を作ることを可能にしました。 これにより設計の自由度が格...

メーカー・取り扱い企業： 共栄電資株式会社

［SSDP用加工］基板側からの測定用加工

基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化

凹凸、イオン照射により表面側に存在する原子が奥側に押し込まれるノックオン効果やクレーター底面粗れ等の現象により、急峻な元素分布を得られない場合があります。この問題を解決するために、薄片化加工を行った基板側（裏面側）からSIMS分析を行うのがSSDP法（Back-Side SIMS法）です。この手法により、試料形状や測定条件に起因する影響を受けることなく、より正確な元素分布評価が可能になります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パワーデバイス・製造装置・部品 分析目的：微...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

基板側からSIMS分析（SSDP-SIMS）を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極（BドープPoly-Si）から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタルのバリア性・Low-k膜中への金属の入り込み・凹...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。 そこで、Si基板中へのA...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価

Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です

す。 格子間型炭素に関連する挙動は低温PL分析で非常に感度良く観測することが可能であり、SIMS分析の下限以下の微量な炭素についての知見を得ることが可能です。 本資料では、イオン注入を行ったSi基板について低温PL分析とSIMS分析を行い確認した例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】プリント基板からの溶出成分の分析

液体試料中の陽イオン成分の分析が可能です

日常の様々な場所で電子機器が使われるようになり、製品の信頼性確保が重要となっています。 プリント基板は高温・高湿度の環境で、配線に用いられているCuがマイグレーションを起こして不良となることが考えられるため、マイグレーションを助長する成分を評価することが重要です。 本事例ではイオンクロマトグラフ...

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【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析が可能です。まずはお気軽にご相談ください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】液中AFM測定を用いた基板上の高分子の形状変化観察

大気中・水溶液中での試料構造変化の可視化

様な機能が発現されることが知られており、様々な製品に利用されています。 高分子の評価においては、実環境での評価が重要です。今回は環境制御型AFM（原子間力顕微鏡）を用いて、大気中および水溶液中にて基板上の高分子形状を可視化した事例を紹介します。また、データ解析を併用することでポリマー粒子の分散具合を数値化しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】プリント基板上有機物系異物の評価

適切なサンプリングと顕微測定で異物周辺情報の影響を軽減

サンプリングを併用した顕微FT-IR分析が有効な異物の評価事例を紹介します。 下地の影響がほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物からは異物由来の情報が取得できませんでした（図1）。無機結晶上にサンプリングを行うことで異物の情報が得られ、異物はフラックスと同定されました（図2）。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TFT配線交差部の深さ方向分析

微小領域・ガラス基板についてもSSDPによる分析が可能

二次イオン質量分析法（SIMS）を用いて、市販ＴＦＴ液晶ディスプレイのデータ信号配線とゲート電極配線の交差部（4μm×10μm）を、基板側から分析（SSDP-SIMS）した例を示します。 基板側から測定（SSDP-SIMS）を行うことにより、表面側の高濃度層や金属膜などの影響がないデータの提供が可能となります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

ル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光法）で評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】はんだ剥離部断面のTOF-SIMS分析

微小領域の無機・有機物の分布評価が可能です

はんだの剥離原因究明には、はんだと基板界面の成分分析を行うことが有効です。 TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、剥離部の評価に適した手法です。 本資料では、は...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板）上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

微鏡法 ○その他の測定法 白色干渉計測法 TG-DTA-MS,DSC　熱分析 EMS　エミッション顕微鏡法 『加工法・処理法』 ○FIB法 集束イオンビーム加工 ○SSDP用加工 基板側からの測定用加工 ほか その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Arイオンミリング加工

機械研磨を行った後低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ5…

1．貼り合わせ サンプル同士もしくは支持基板とを接着剤で貼り合わせます。 2．切断 数mmの厚みで切り出します。 3．研磨 機械研磨を行い、貼り合わせ界面が中心になるように薄くします。 4．Arイオンミリング 低加速A...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。 今回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価

微小領域のXRD測定が可能

照射X線をΦ400μmに絞ってXRD測定を行うことで、面全体ではなく所定の領域を狙って結晶情報を取得した事例をご紹介します。 プリント基板サンプルのXRD測定の結果、測定箇所（１）～（3）全てでCuとBaSO4が検出され、電極である測定箇所（１）ではAu由来のピークが検出されました。XRFによる測定結果とよく一致しています。 このよ...

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【分析事例】結晶Si太陽電池の不純物評価

金属元素および大気成分元素の極微量分析

結晶Si太陽電池の基板成長からセル形成までの各工程で必要とされている不純物量制御のための評価法として、高感度分析による元素濃度測定をご提案します。金属元素はppb以下、Hを含む大気成分元素についてはppm以下の濃度まで計...

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【分析事例】X線吸収・発光分光によるバンド構造評価

材料の価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位の詳細な情報が得られます

吸収分光(XAS)とX線発光分光(XES)の同時測定からはバンド構造の全容が把握できると共に、それらを構成する元素・軌道の帰属といった詳細な情報も得ることが可能です。 本資料では測定例としてGaN基板のXAS・XESスペクトルをご紹介します。...

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【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-H及びN-H濃度を求めた分析事例を下記に示します。...

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【分析事例】クリームはんだ中フラックスの成分分析

クリームはんだ中のロジン、チキソ剤、活性剤などを網羅的に定性します。

クリームはんだ（ソルダーペースト）は金属粉末と松ヤニなどから成るフラックスとを混合したペースト状のはんだで、電子部品を基板上に実装する際に用いられています。 はんだフラックス中には、溶剤や活性剤、ロジン、チキソ剤などといった低分子～中・高分子の様々な有機成分が含まれています。 ここでは、これらの成分についてGC/MS...

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【分析事例】ウエハ表面の微小異物分析

加工無しで30nmサイズの組成分析が可能

AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法であり、製造工程において表面に生じた汚染や異物の組成を調べる際に有効な分析です。基板などの母材の情報を検出することが少ないため、異物など異常箇所のみの情報を前処理加工などを行わず簡便に調べることが可能です。また面分析を行うことで元素分布像を得ることができます。 本事例ではSiウエ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】金属膜の高温XRD評価

昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

Pt をSi 基板にスパッタ蒸着させた試料に対して、昇温させながらOut-of-plane XRD, In-plane XRD 測定をそれぞれ行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセンス(PL)測定は、これらを調査する際に有効な手段の一つです。 Si基板にイオン注入を行った後、アニール処理を行った試料のPL測定例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。 100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。 一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2（H2）...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST