平坦 | イプロスものづくり

PR高品質・高精度の製品を製作。アルミ部品は平行・平坦度2/100mmに対…

アルミ・鋼の角物の加工を手掛ける当社は、高性能な立型マシニングセンタや横型マシニングセンタをはじめとする設備を多数導入しており、高品質・高精度の製品ニーズにお応えしています。アルミで2/100mm、鋼で1/100mm（研磨込み）の平行・平坦度を誇るなど、高い技術力を保有。半導体業界水準のキズの無い美しい仕上がりを提供します。手のひらサイズから約20kgまでの幅広い製品に...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ジーエスピー

自走式パレットストレッチ包装機『ROBOT S7』

PR不安定な包装品にも好適！フィルムのランニングコストを大幅に削減可能な包…

『ROBOT S7』は、移動式で、平坦なところであれば包装場所を限定せず、不安定な包装品にも適している自走式パレットストレッチ包装機です。フィルムオートカッター装備、プレストレッチ延伸機能でランニングコスト大幅削減が可能。また、ニーズに応える豊富なオプションもご用意しております。【特長】 ■移動式で包装場所を限定しない ■100V充電式バッテリーで駆動 ■充実したレシピ、プログラム機...

メーカー・取り扱い企業：有限会社日本ストレッチシステム

【分析事例】テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価

凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能

明用途としても広く用いられるようになりました。光の取り出し効率を高めるため、取り出し面に凹凸を設けることがありますが、この凹凸が深さ方向分析における深さ分解能の劣化を招きます。テクスチャ凹凸面に平坦化加工を施すことにより深さ分解能の劣化を抑えて深さ方向濃度分布を評価した事例と、バックサイド(基板側)から分析を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】はんだボール表面の酸化膜評価

球体形状試料の評価事例

AES分析ではSEM観察機能が付随していることから、試料表面の特定箇所を測定することが可能です。またサブμｍの微小領域での測定が可能なため、基板等の平坦試料だけではなく、球体形状や湾曲形状の試料でも、曲率の影響を受けにくく、平坦試料と同様に特定箇所を狙って測定することができます。以下は表面形状が異なる半田ボール表面の酸化膜厚を評価した事例です。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】X線によるZn系バッファ層の複合評価

組成・結合状態・構造・密度の評価が可能

CIGS薄膜太陽電池の高効率化において、光吸収層から透明電極までのバンド構造や結晶性の制御のために様々なバッファ層材料が検討されております。平坦化された基板上に成膜したZn系バッファ層についてX線による各種評価を行った事例を示します。成膜条件による水準間、成膜後の各種プロセスの水準間での比較が可能です。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［GDMS］グロー放電質量分析法

特定の質量イオンを解離・フラグメント化させ、質量分析計で検出

元素の定性及び濃度の算出を行います。試料内容や分析目的により、試料の加工法を選択します。ピンセル方式：試料の加工が容易な場合。バルク分析に向いています。フラットセル方式：試料の表面が平坦な場合。膜の分析や深さ方向分析に向いています。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定

固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能

通常、SIMS測定では数mm角で表面が平坦なチップを用いて分析を行いますが、1mm 角以下の小さなチップや特殊な形状の試料についても固定の前処理を施すことで分析が可能です。微量成分を調べたい試料の中には、微小チップやワイヤー状試料など、...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のS...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用いて定量的に評価した例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST