【パワーデバイス】大電流用ソケット

PR様々なカスタム設計が可能！ご要望に応じて試験治具の設計提案も承ります

『大電流用ソケット』は、IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに対応するテストソケットです。 デバイスの放熱性向上用のためのクランプ固定式やネジ止め式など様々な カスタム設計が可能。低抵抗な材料を用いて100A以上の大電流に対して 製作できます。 大電流の需要が高まっているので、パワーエレクトロニクス分野へ力を入れています。 【特長】 ■IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＳＤＫ

ナノバブル発生装置　PANDORA　コストダウン　生産向上

PR砥石寿命２倍 砥石切込み５倍 加工抵抗50％減 ファインバブルを…

ナノバブル発生装置　PANDORA（パンドラ）は製造業向けに大量のナノバブルとマイクロバブルを同時発生させる事が出来る装置です。 ナノバブルを現在お使いのクーラントに発生させる事により 冷却効果、洗浄効果を発揮し 飛躍的に砥石の寿命を延ばしたり、冷却性能を上げ寸法精度を向上させたり、 条件UPにて加工能率を向上させることが可能です。 是非、業界最多バブル量にて効果を実感下さい。...国内...

メーカー・取り扱い企業： 昌弘貿易株式会社 関西営業本部

Navitas GaN Power IC構造解析レポート

製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を…

当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN S...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

SiC MOSFET構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート

東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B)…

。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート 　・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている 　・本製品の特長であ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

LTM4700 uModuleレギュレータ構造・実装解析レポート

優れた放熱パッケージ技術を採用し、その除熱回路を解析！

【Table of Contents】 1．エグゼクティブサマリー 2．パッケージ外観 3．断面観察 4．平面観察 5．熱マネージメントと熱抵抗の推定に関する考察 6．Appendix ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック