【書籍】先端半導体製造プロセスの動向と微細化（No.2220）

PR【試読できます】－成膜技術、リソグラフィ、エッチング、CMP、洗浄－

書籍名：先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ★ムーアの法則の限界が叫ばれる中、微細化技術の開発はどこまで続くのか！ 　　新構造、新材料の適用が進む、先端半導体製造「前工程」の最新技術を網羅した一冊 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ■　本書のポイント　1 ・EUVリソグラフィの最新動向とレジスト、マスク、光源の技術課題 ・これ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社技術情報協会

スピード量産も実現する「RP砂型積層造型手法」

PR新型砂積層3Dプリンターの導入により、さらなるスピードアップを実現。試…

製造工程を見直しませんか？ 砂積層鋳型とは、CADデータを砂積層装置に取り込み、ダイレクトに砂型を成形する造型手法です。 従来の鋳造品製造に欠かせなかった木型や樹脂型製作、試験鋳造などの工程を省略できるため、全体のリードタイムを短縮できます。 また、従来の砂型では製作困難な形状でも造型可能。中子等の同時大量造型も可能です。 鋳型製作のみの受託造型も承っております。 【特徴】 ...

メーカー・取り扱い企業： 北陸軽金属工業株式会社 埼玉工場

【高耐食性Y2O3/YOF膜事例】エッチング装置部品の保護膜に

溶射やエアロゾルデポジションによる保護膜より遥かに耐食性・耐プラズマ性…

に、イオンアシスト蒸着法による耐プラズマ性の高耐食性Y2O3膜（酸化イットリウム膜）, YOF膜（酸フッ化イットリウム膜）を使用した事例をご紹介します。 半導体の微細化は急速に進んでいます。半導体製造競争は歩留まりと装置の稼働時間が大きなカギを握っています。エッチング装置部品の保護膜は、溶射やエアロゾルデポジションによる酸化イットリウム膜が使われていましたが、エッチング装置は、シリコンウエーハに...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー

【エージング時間が大幅短縮！】耐プラズマ耐食性YOF保護膜

時代はY2O3からYOFへ！エッチング装置のエージング時間を大幅短縮、…

ーティクル低減、装置稼働時間を大幅にアップさせるだけでなく、これまで要したエージング時間を大幅に短縮させることができます。半導体不足が問題となっている昨今、歩留まり向上と装置稼働時間のアップは半導体製造業者にとって至上命題といえます。最先端の製造ラインに導入された、イオンアシスト蒸着法による保護膜は、ドライエッチング装置部品の保護膜として、また、定期的メンテナンスにおける再生としてご利用いただけま...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー

【エッチング装置/アッシング装置部品の保護膜に】Y5O4 F7膜

Y5O4 F7膜は表面フッ素量変化が小さいのでエッチング装置のエージン…

半導体製造工程の一つであるドライエッチングプロセスにおいてウェハ処理を行うと、プロセスガス自体からの生成物やエッチング時の副生成物がチャンバ内壁やチャンバ内のパーツ表面に付着するといった現象が発生すします。こ...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー