SMT実装機（基板実装機）『SIPLACE TX micron』

PR0201mサイズの極小部品に対応。サブモジュールやSiPなどの先端パッ…

『SIPLACE TX micron』は、最小±10 μm (3σ)の精度に対応した 先端パッケージング用途に適した表面実装機です。 基板への接触を検出してから部品を離す“圧力制御”により 基板の反りや振動を抑えつつ、はんだブリッジといった不良も防止。 角度の誤差が少なく、狭隣接で実装できるほか 0201 mサイズの極小部品の実装に対応可能です。 【特長】 ■最大実装速度...

メーカー・取り扱い企業： ASMPT Japan株式会社

【線状・紐状に対応】搬送物が絡みつかない 無軸スクリューコンベア

PR軸が無いので絡まない！通常のスクリューでは搬送が難しい、線状や紐状物の…

当社が取り扱う『無軸スクリューコンベア』は、軸が無いので付着による閉塞の心配がなく、 搬送物が絡みつかない、という大きな特徴があります。 ⇒このため、搬送物が線状や紐状であっても、問題なく搬送可能です！ 有軸スクリューコンベアでは今まで搬送することが困難であった、 し渣やパルパーカスなども安易に搬送することができます。 【事例紹介（製紙業界のパルパー滓の搬送問題）】 ◎課題：パ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ワイテックサービス

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

角度分解XPS（ARXPS）はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料で...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

極点測定

XRD：X線回折法

極点測定は特定の結晶面に着目し、試料に対して様々な方向からX線を入射させることで結晶方位の分布を評価する方法です。検出器を着目の結晶面の回折角度(2θ)に固定し、α(試料のあおり角度)とβ(試料の面内回転角)の2つのパラメータを変化させてあらゆる方向に傾いた結晶面を測定します。高い回折強度が観測される方向に結晶方位が集中していることを示しま...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［XRR］X線反射率法

XRR：X-ray Reflectivity

XRRは、X線を試料表面に極浅い角度で入射させ、その反射強度を測定します。この測定で得られた反射X線強度プロファイルをシミュレーション結果と比較し、シミュレーションパラメータを最適化することによって、試料の膜厚・密度を決定する手法です...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】金属膜の高温XRD評価

昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度が増加し、半価幅が小さくなり、結晶化が進行していることが分かりました。 また、温度が上昇するにつれ、熱膨張によりピークが低角度側（格子間隔が広がる方向）にシフトしていることを確認できました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】素子分離領域の歪解析

NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…

NBD法では電子線が試料中で回折する角度（電子回折スポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［ED］電子回折法

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

入射した電子が結晶の格子面に対してブラッグ条件を満たす角度となったとき、電子は弾性散乱されます。 散乱された電子は互いに干渉しあいますが、ブラッグ条件を満たした電子だけが特定の方向に回折波として強度を持ち、回折スポットを形成します。 透過光と複数の回折...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの深さ換算について

SRA：広がり抵抗測定法

SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値（ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます。 尚、ベベルエッジから距離は【X-step 】×【測定点数】となります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】燃料電池の触媒の評価

XPSによる化学状態分析とTEMによる形態観察

造をしています。Ptの評価法として状態分析にはXPS分析、形態観察にはTEM観察が有効です。Pt触媒の酸化(被毒)や凝集(比表面積低下)などのPt触媒の劣化についてもこれらの手法で評価可能です。 角度を変えながら撮影した画像を再構築することによりPt粒子の三次元像を得ています。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST