「失敗しない"ものづくり企業"の成長戦略」セミナー開催のご案内

PR3D設計データ活用によるものづくり改革のヒントが満載！DXに惑わされな…

大興電子通信株式会社は、TKP市ヶ谷カンファレンスセンターにて 「失敗しない"ものづくり企業"の成長戦略」のセミナーを開催します。 当セミナーでは、DXの本質を捉え、企業変革及び成長の実現に向けた 重要な考え方とアプローチ方法をご紹介。 多くの企業が見落としている"変革の本質"、DXを含めた変革が失敗する 主要な要因と対策、変革実行の優先順位や注意ポイントを解説します。 皆...

メーカー・取り扱い企業： 大興電子通信株式会社

『JPCA Show 2024』に出展のご案内

PR電子回路業界及び関連業界全体の発展に寄与する展示会に出展します！

株式会社アインは、東京ビッグサイトで開催される『JPCA Show 2024』に 出展します。 当展示会は、様々な電子・情報通信・制御機器に使用される 電子回路・実装技術や、新しいコンテンツとソリューション等を展示。 当社はパワーデバイス用の厚銅セラミックス基板「AMB基板」及び、 メッキ法を用いたセラミックス配線基板「DPC基板」を展示予定です。 皆様のご来場を心よりお待...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイン 本社工場

［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子（S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【総合カタログプレゼント】MST分析手法カタログ

研究開発者、品質管理者必見！MST取り扱い手法の原理から、手法の選択方…

各分析手法の詳細についてご紹介しています。 お手元に置いて、分析サービスのご検討にぜひご活用ください。 ※【PDFダウンロード】よりサンプル版をご覧いただけます。 ★ご希望の皆様全員に、電子カタログ[完全版]を無料でプレゼント★ 【お問い合わせ】より、「カタログ送付希望」にチェックを入れてお申し込みください。 ※同業の分析会社、及びその関連会社の方は、お申し込みをお断りする場合がご...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法

ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の...

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［TEM-EELS］電子エネルギー損失分光法

電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定…

EELS分析とは、電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定する手法です。物質の構成元素や電子構造を分析することができます。 TEMに付属している元素分析装置（EDX)と比較して、下記の特徴...

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［EBIC］電子線誘起電流

試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手…

SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部...

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EBSD分析（電子後方散乱回折法）

容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能

EBSDを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。 電子回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができます。 EBSP：Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれます。 ・単一結晶粒の面方位...

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［AES］オージェ電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類・存在量の評価

AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面（深さ数nm）の定性・定量...

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［ED］電子回折法

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。 ・物質の結晶学的情報が得られます。 透過電子顕微鏡の場合、単結晶では規則正しく並んだ回折斑点(スポット)、多結晶で...

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［UPS］紫外光電子分光法

試料表面の組成の定性・定量や仕事関数評価に

UPSは、紫外光照射により放出される電子の運動エネルギー分布を測定し、試料極表面（数nm程度以下）の価電子状態に関する知見を得る手法です。その一方で、高いエネルギー分解能を利用して各種金属材料の仕事関数評価にも用いられています。 X...

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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が...

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【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります...

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【分析事例】電子回折の種類と特徴

TEM：透過電子顕微鏡法

透過電子顕微鏡での電子回折法は、試料への電子線の入射の仕方によって3つに分類されます。それぞれの特徴とデータ例を示します。評価対象物のサイズや分析目的に応じて、適切な手法を選択する必要があります。...

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研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

ても、ご相談承ります。 『測定法』 ○質量分析法 SIMS　二次イオン質量分析法 TOF-SIMS　飛行時間型二次イオン質量分析法 ICP-MS　誘導結合プラズマ質量分析法 ほか ○光電子分光法 XPS　X線光電子分光法 UPS　紫外光電子分光法 ○電子顕微鏡観察・分析 AES　オージェ電子分光法 SEM　走査電子顕微鏡法 EBIC　電子線誘起電流法 ほか ○振動分光...

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[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方位の抽...

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『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント

高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM（透過電子顕微…

TEM（透過電子顕微鏡法）は、薄片化した試料に電子を照射し、 試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 MSTでは、TEMの特徴や試料作製方法など基礎知識を掲載した『TEMの基礎...

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［XPS］X線光電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類、存在量、化学結合状態評価に有…

XPSは、Ｘ線照射により放出される光電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量・化学結合状態に関する知見を得る手法です。化学結合状態に関する知見が得られるため、別名ESCA : Electr...

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非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

2018年4月2日、MSTは最新型の加工・分析装置を導入し非破壊分析サービスを開始します。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観...

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【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まず...

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蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際の過程の一つに発光（フォトルミネッセンス）があります。そのうち、パルスレーザーにより物質を瞬間的に励起し、発光の減衰時間を測定する手法が時間分解フォトルミネッセンスと呼ばれるもので...

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絶対PL量子収率測定

絶対PL量子収率測定は、材料の発光効率を求める手法です。

物質に光（紫外・可視光）を照射すると、物質はそのエネルギーを吸収し発光することがあります（フォトルミネッセンス（PL)）。 光の吸収により、安定なエネルギー状態（基底状態）にあった分子内の電子は、一時的に高いエネルギー状態へと励起されます。様々な過程を経て一重項励起状態に存在する電子が安定な基底状態に戻るとき、差分のエネルギーを光として放出し、これを蛍光と呼びます。さらに三重項励起状態に...

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【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

半導体を多く使う電子機器では各部品をはんだ付けにより実装しています。このはんだ接合部に不良が生じると電子機器に不具合が生じます。その為はんだに関して濡れ性を評価することは部品の信頼性を評価するうえで重要です。今回は疑似...

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【分析事例】Sn酸化物に対する還元処理の検証

～XPSと計算シミュレーションの比較から～ 価電子帯スペクトルからの…

XPSは内殻準位からの光電子スペクトルより物質の組成・結合状態を評価する手法です。一方でフェルミ準位近傍には最外殻電子の状態を反映した価電子帯スペクトルが現れます。本資料では、Sn酸化物に対して第一原理計算によって算出した状態...

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ご希望者全員プレゼント！表面分析の基礎と受託分析事例

〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基…

表面分析の使い分け 　　　・XPS分析でできること 　　　・TOF-SIMS分析でできること 　　　・XPS,TOF-SIMS分析でできること 　■各手法の詳細情報 　　　・XPS　X線光電子分光法 　　　・TOF-SIMS　飛行時間型二次イオン質量分析法 　■分析事例 　　　・XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価 　　　・Cu表面の酸化状態の定量 　　　・XPS多点測定によ...

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『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

T法 　・in situ X線CT測定 ■分析事例 　・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析 　・発泡ウレタン内部の空隙率評価 　・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定 　・電子デバイス内特異箇所の複合解析 　・トランジスタ内部の状態評価　など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウン...

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［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能 （通常加工サイズ：～20μm程度） ・SEM・SEM-STEM...

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角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルク...

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【分析事例】粘着シートによる電子部品の汚染評価

有機汚染の定性・定量・分布を複数手法の組み合わせで評価

半導体デバイスの製造工程では、ダイシング用テープなど様々な粘着シートが使用されます。粘着シートは異物・汚染の原因となることがあります。そこで、本事例ではTOF-SIMS・SWA-GC/MSを用いて複合 的に評価した結果をご紹介します。TOF-SIMSでは、粘着シート各材料の定性を行うことで、異物・汚染がどの粘着シートに起因するのか、また粘着シートのどの層に起因するのか同定が可能です。またSWA-...

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［IP法］Arイオン研磨加工

IP法は、研磨法の一種でイオンビームを用いて加工する方法です

カードエッジコネクタについてIP加工後、反射電子像観察を行いました。 IP法と機械研磨法で作製した断面の反射電子像観察を行いました。 IP法ではCu結晶粒が明瞭に観察され、研磨キズもありません。...

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Arイオンミリング加工

機械研磨を行った後低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ5…

Arイオンミリング法とは、機械研磨を行った後、低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ50nm以下の透過電子顕微鏡用の薄膜試料を作製する加工法です。...

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【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光...

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