有機金属気相成長法による結晶成長シミュレータ

化合物半導体の有機金属気相成長法の数値シミュレーション解析ツール

有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOM(プロコム)の事例を紹介。PROCOMは、流体力学(fluid dynamics)や質量(mass transport)および熱輸送(heat transport)、さらに非平衡ガス-ガス(non-equilibrium gas-gas)または非平衡ガス-表面(non-equilibrium gas-surface)化学反応(ch...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ

アバランシェフォトダイオードの解析ツール

APD(Avalanche Photodiodes)のシミュレーションで利用されるAPSYSの物理モデルを紹介。(ドリフト拡散(drift-diffusion)と流体力学(hydrodynamic)モデル。衝突電離(impact ionization)と過剰雑音(excess noise)要因。共振状態(Resonant condition))また、APDデバイスのモデリングと解析結果について紹介...

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半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…

＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 ＜デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I...

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半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…

＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ...

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クロスライトのLEDシミュレータ

青色発光ダイオードにおける分極電荷の効果とデバイス構造最適化のための解…

様々な物理モデル。（ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然...

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VCSELシミュレータ

垂直共振器面発光レーザの解析ツール

PICS3D内臓のVCSELモジュールにおける自己無撞着モデルの概要。基本的なVCSELモデリングを解説。また、次のような特徴を紹介。自動VCSEL共振器デザインモジュール(VCSEL cavity design module)、光ポンプVCSEL(optically pumped VCSEL)、多横モードの計算(multi-lateral models calculation)、EIM(effe...

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有機LEDのシミュレータ

様々なタイプの有機LEDを例に計算のための物理モデルや解析

クロスライトのデバイスシミュレーターAPSYS(アプシス)で様々な有機LED(Organic Light-Emitting Diodes)のシミュレーションを紹介。有機半導体(organic semiconductor)に対する量子移動拡散(quantum drift-diffusion)モデルと解析。3D光線追跡(3D ray-tracing)による光抽出(non-microcavity mod...

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量子カスケードレーザのシミュレータ

量子カスケードレーザの解析ツール

サブバンド構造計算(subband structure calculation)により、発光波長(emission wavelength)やミニバンドアライメント(miniband alignment)などのQCL(quantum cascade laser)の基本的なデザインが可能。微視的なレート方程式モデル(microscopic rate equation model)は、ローカル電流(lo...

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ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ

GaN基板のナノワイヤまたはナノチューブデバイスの数値解析ツール

デバイスシミュレーター(APSYS)で、GaN基板のナノワイヤ(nanowire)やナノチューブ(nanotube)構造のLEDを効率よく解析。デバイスのモデリングとシミュレーション例を紹介。試験的に15,000メッシュポイント(mesh points)の量子井戸(quantum well)を1個有する単体のナノチューブ(single tube)を計算。典型的なI-V特性計算に、OS:Window...

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量子ドットデバイスの3Dシミュレータ

量子ドットデバイスの3次元解析ツール

量子ドット(quantum dots)デバイスのモデリングは、微視的なモデルを構築・解析しその結果を巨視的なモデルに取りこむ手順を経る。微視モデルは様々な矩形や円柱状の3次元量子ドットが可能。ひずみ効果(strain effect)も考慮。GaN基板のウルツ鉱構造(wurtzite structure)も亜鉛鉱型結晶構造(zincblende structure)と同様に適用可能。巨視的なモデルに...

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GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ

プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3D…

プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準...

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ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ

量子井戸でオージェ再結合に起因するリークの解析ツール

LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。（分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経...

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シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション

シリコン基板太陽電池のモデリングと解析ツール

クロスライトの柔軟な材料データベースはSiやpoly Siの移動度(mobility)やライフタイム(lifetime)を不純物濃度(doping)や粒子サイズ(grain size)の関数として容易に作り込みが可能。プロセスシミュレーションと連携したデイ倍すシミュレーションが可能。Si RCC(rear-contacted cells)のシミュレーション結果は実験結果と一致。クロスライトの2D/...

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バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ

ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデルによる解析ツール

量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quan...

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Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ

ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール

クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quan...

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