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    【無料サンプル進呈中】省人化に寄与する自動給油器 パルサールブE

    PR【防爆検定合格品】すぐに使用できる自動給油器。設定期間に応じてグリース…

    使用方法は、グリースニップルを取り外してパルサールブE型を取り付けるだけ。たった1分の作業で大変なグリスアップを自動化することができます。1~12ヵ月の吐出期間設定ができ、低コストで潤滑作業を省力化し、工場の省人化に役立ちます。自動給脂のメリットは、回転体にとって最適な状態を維持できることです。潤滑の改善でトラブルを未然に防ぎましょう。 【特長】 ■ ちょう度2番までのグリースであれば、ど...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社シー・エス・シー 本社、大阪支店、福岡出張所

  • 管継手・配管部材の特殊加工【MIEテクノ】 製品画像

    管継手・配管部材の特殊加工【MIEテクノ】

    PR大口径パイプの切断、開先加工、大口径フランジの加工、バーリング加工等、…

    当社、MIEテクノは、管継手メーカーとして培った加工技術を、部材加工に応用。 フランジ、パイプ開先加工、バーリングをはじめとするバリエーション豊かな加工形状により、さまざまな配管システムに対応します。 また、高機能素材の部品加工にも対応。 長年かけて構築した加工技術でお客様の多彩なニーズにお応えし、 チタン、アルミ、ニッケル、スーパーステンレス等の鋼材を素材とした、精度の高い部材を提供...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社MIEテクノ

  • 書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】 製品画像

    書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】

    省エネ社会のキーテクノロジーとして注目されるGaNパワーデバイス。 …

     GaN結晶成長技術(エピタキシャル)  1節 MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム  2節 ワイドストライプELO-GaN成長とデバイス応用  3節 MOVPEによる大口径GaN on Si基板の開発  4節 MOCVD-サファイア基板を要しない窒化ガリウム局所形成 第4章 GaN結晶の物性評価  1節 GaN半導体の界面準位評価  2節 AlGaN/GaNヘ...

    メーカー・取り扱い企業: S&T出版株式会社

  • 書籍【SiCパワーデバイス最新技術】 製品画像

    書籍【SiCパワーデバイス最新技術】

    次世代パワーエレクトロニクスの大本命!

    第1章.SiCパワーデバイス技術動向・課題と今後の展開 第2章.SiC単結晶成長技術(昇華法) ~高品質化・大口径化~ 第3章.SiC単結晶ウェーハの開発動向 第4章.SiCバルク結晶の溶液成長技術 第5章.SiC半導体基板の超平坦化加工/研磨スラリー技術 第6章.SiCの異方性エッチング技術 第7章...

    メーカー・取り扱い企業: S&T出版株式会社

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