ノボラックレジスト 材料とプロセスの最適化

半導体,液晶デバイスは,リソグラフィー工程を複数回繰り返すことで製造される。この数十回の繰り返し工程中で,最先端の微細パターンが必要とされるのは,ゲート工程などわずかであり,大部分は線幅の太いパターンが使用されることである。この太いパターンにノボラックレジストが使用されているのである。もちろんデバイスによっては,ここにKrF(248 nm)用化学増幅型レジストが使用される場合もある。
よって,半導体デバイスにおいて,線幅の太い工程は,すべてではないにしろいまだにノボラックレジストは使用されており,しかも結構な量が使用されている。
また,中国等の新興国における半導体デバイス製造では,旧世代のデバイスを製造しており,当然ここではノボラックレジストが使用されている。
さらに液晶製造では,すべての工程(5工程)でノボラックレジストが使用されている。工程数についてはハーフトーンマスクの使用により4工程のデバイスメーカもあるようである。高感度・高解像のレジストである化学増幅型レジストの導入も検討もされているようであるが,基板サイズが半導体に比較しけた違いに大きく,使用環境の制御が難しいため実用化には至っていない。 （詳細を見る）

2017年は、半導体の量産化が始まって40年となります。それは、GCA社がステッパ(g線NA0.28)を1977年に上市し、それまでのコンタクト・プロキシミティ露光から、縮小投影露光方法に切り替わったことに由来します。ステッパの登場によりパターン寸法の微細化と、半導体の量産性が飛躍的に伸びました。まさに1977年はリソグラフィ技術の飛躍の原点と言えるでしょう。そこで、リソグラフィ技術40年の歴史を振り返り、今後のリソグラフィ技術の展望を考察する著書を、今、この時期に刊行することは意義深いことだと思います。また、リソグラフィ技術の黎明期を知っている著名な研究者の先生方も、リタイアされる年齢でもあり、貴重な経験談や資料が失われつつあります。そこで、パイオニア的な先生方にリソグラフィ技術のそれぞれのターニングポイントについて、それらをどう乗り越えて来られたのか、材料開発の歴史、往時の苦労話などを語っていただきました。歴史を振り返るだけではなく、若い研究者の方々に、研究に夢を持っていただける様な内容に仕上がったのではないかと思っております （詳細を見る）

○発刊日2012年03月09日○体裁B5判並製本 250頁○価格：本体 10,000円＋税 →STbook会員価格：9,500円＋税
○関口 淳 リソテックジャパン(株) （詳細を見る）

　近年、めっき技術はエレクトロニクス産業における基盤技術として、その重要性が確立されています。半導体デバイスや高周波用プリント基板およびMEMSなどのエレクトロニクスにおいては、主に、配線形成技術として実用化されています。また、高精度な配線やプラグ構造を形成するにはリソグラフィ技術が必要です。この技術では、レジストマスクで設計された領域に限定してめっき層を形成します。レジストマスクはエッチングマスクとしても用いられます。めっきによる配線形状の制御には、レジストマスクの高精度化が不可欠です。本セミナーでは、CuやNiなどの配線材料のめっき技術、およびリソグラフィ技術の基礎およびレジストマスクの高精度化について講演します。また、マスク変形やマスク剥離などのトラブル解決法についても解説します。本講座を通じて、初心者にも分かりやすく、基礎から学んでいただけます。また、受講者が抱えている日々のトラブル相談にも応じます。
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