アークフィラメント型イオンプレーティング装置

『PIG式 DLC膜形成装置』は、独自開発によるPIGプラズマガンを
採用し、極めて平滑で相手攻撃性の低いDLC膜を高速で形成できる
高密度プラズマCVD装置です。

スパッタカソードを標準装備しており、スパッタ膜との積層構造により
優れた膜の密着性と高面圧耐性を実現しています。

自動車部品の表面処理用途に豊富な実績を持っており、多くの用途に採用。
また新開発のアーク放電式マグネトロンカソードを装備することで
PVDによる硬質膜も形成が可能でき、プラズマCVD＋PVD複合成膜装置への
機能拡張が容易です。

評価をご希望の方はサンプルテストをお受けしております。
その他、仕様詳細や膜質などにつきましてはお問い合わせください。

【特長】
■極めて平滑なDLC膜が形成可能：（Ra＝0.015μm以下）
■成膜レートが早い：（3μm/hr以上）
■低温成膜：（200℃以下）
■厚膜形成可能：（20μm）
■DLC膜の除膜：同一真空槽内でDLCの除膜が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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『アーク放電型高真空イオンプレーティング装置』は、極めて緻密で平滑な
硬質膜を形成できるイオンプレーティング装置です。

独自方式によりアルゴンガスを不要とした高真空中での成膜を可能とし、
緻密で高い反応膜の形成を可能としました。

チタン系の膜の形成を主体としておりTiCやTiCNなどの高硬度の膜質と膜の
平滑さにより金型の表面処理に好適です。
自動車部品の金型の表面処理用途に豊富な実績を持っています。

システムは基板の大きさ・形状や処理用によって柔軟にカスタマイズ。
精密加工工具専用小型装置から大型金型対応の大型量産タイプまで
豊富なラインアップを揃えています。

【特長】
■放電用ガスが不要
■平滑な硬質膜が形成可能（成膜後の研摩が不要）
■金メッキ代替の装飾膜が形成可能（金色、グレー、ブラウン）
■金属表面処理・硬質膜以外にも実績あり
　（電子部品用、金属膜、酸化物膜、対応可能）

※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やＳｉＣ膜を高速形成。
高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。
半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。
PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。
絶縁膜（酸化膜・炭化膜）を高速形成。緻密な厚膜を高速形成。従来型のイオンプレーティング法の弱点を克服。
新たな表面機能を生み出す用途創成型最新ＰＶＤ装置



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新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により緻密な酸化膜の厚膜（１０μｍ）を低温で形成
半導体製造装置部品に対応した優れた耐プラズマ性をもつイットリア膜の成膜に対応。
イオンプレーティング法によるシンプルなプロセスで緻密な膜質を実現。
イットリア膜だけでなくＳｉＣやＴｉＣ、ＣｒＮなどの各種反応膜を固体金属材料より形成可能。
独自開発イオンプレーティング法により表面処理の新たな用途を開拓 （詳細を見る）

新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったＰＶＤ法による」ＳｉＣ成膜を実現。
４００℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたＳｉＣ膜を形成可能とした新成膜技術を採用。
個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。
膜厚や膜質の制御性も高くＣＶＤに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニングコストの全てに優れた新成膜装置
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