化合物半導体用電極膜アニール装置

従来型よりコンパクトなチャンバに大口径クライオポンプを採用、チャンバ各機構部に超高真空対応を採用し、クリーンな高真空環境を可能にしました。
蒸発源には水冷式反射電子トラップ付きの電子銃を使用しており、基板への電子の乳を防いだ低ダメージ成膜を実現しています。
実績豊富な６連式電子銃は高融点金属を含む多層膜電極形成に対応しています。また安定した蒸着が特徴でマイクロアークによる基板ダメージやドロップレットによる膜表面の異常を排除
プロセスや生産量に合わせてリフトオフ蒸着にも対応いたします。リフトオフ蒸着時は厚膜電極に対応した基板背面よりの水冷機構により貴金属厚膜電極の形成が可能です。
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ＵＶ－ＬＥＤの製造の低コスト化に必要なサファイア基板へのＡｌＮテンプレートをスパッタで作成。１００arc／ｓｅｃ以下のＣ軸配向性を持つＡｌＮ膜を低温（７００℃以下）でスパッタリングで形成。
シンプルかつ安定したプロセスとハイスループット性でＵＶ－ＬＥＤの低コスト化に貢献。
サンプルテストに対応中、高周波デバイスへの展開も開発中。

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『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。

実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。

平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。

【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°）
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設
■サンプルテストに対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

Ｓｉプロセスに実績豊富なアニール装置を化合物半導体プロセス用にカスタマイズ。
ＧａＡｓ用のホットプレートタイプに比べ高温（９００～１０００℃）まで対応。
窒化膜半導体の電極の合金化に実績。
急速昇降温型の加熱炉を装備し、均一な加熱と最適な温度プロファイルで電極膜のアニールを制御。
生産量・プロセスにあわせて最適な装置構成を提案可能な実績豊富なウェハプロセス用熱処理装置。
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