先端光デバイスに最適な専用蒸着装置。低温・低ダメージ成膜で平滑な膜表面を実現。超高真空対応のハードが実現する高品質電極膜
従来型よりコンパクトなチャンバに大口径クライオポンプを採用、チャンバ各機構部に超高真空対応を採用し、クリーンな高真空環境を可能にしました。
蒸発源には水冷式反射電子トラップ付きの電子銃を使用しており、基板への電子の乳を防いだ低ダメージ成膜を実現しています。
実績豊富な6連式電子銃は高融点金属を含む多層膜電極形成に対応しています。また安定した蒸着が特徴でマイクロアークによる基板ダメージやドロップレットによる膜表面の異常を排除
プロセスや生産量に合わせてリフトオフ蒸着にも対応いたします。リフトオフ蒸着時は厚膜電極に対応した基板背面よりの水冷機構により貴金属厚膜電極の形成が可能です。
基本情報化合物半導体用蒸着装置(AAMF-C1650SPB型)
6連式電子銃と移動式多元抵抗加熱蒸発源を装備したバッチ式高真空蒸着装置
標準ウェハプロセス対応蒸着装置よりチャンバ径をコンパクト化し小径ウェハに対応。
リフトオフプロセスに対応した垂直蒸着用の公転ドームと大量処理用の3面プラネタリー自公転ドームの切替使用が可能。
基板加熱ヒーターを標準装備しており、成膜前の基板のべ―クと共に幅広い用タッチパネルによる全自動操作とデータロギングを標準装備し安定した稼動を実現しています。
オプション類も豊富で基板水冷機構・高温加熱機構・同時蒸着機構・ロードロック機構など実績機構より目的に合わせて選択可能
価格情報 | お問合せ下さい。 |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | AAMF-C1650SPB型 |
用途/実績例 | 光通信用レーザー素子電極形成 赤外線レーザー素子電極形成 マイクロ波IC電極形成 MEMSデバイス電極・各種薄膜形成 |
カタログ化合物半導体用蒸着装置(AAMF-C1650SPB型)
取扱企業化合物半導体用蒸着装置(AAMF-C1650SPB型)
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