リフトオフプロセス対応真空蒸着装置

『リフトオフプロセス対応真空蒸着装置』は、
化合物半導体やSAWデバイスなど光デバイスや高周波・通信デバイスに
多用されるリフトプロセスに対応した専用蒸着装置です。

蒸発源に電子銃と抵抗加熱電極を装備しており、高融電極膜や貴金属を含む
厚膜の形成が可能。

基板への蒸発粒子の入射角の垂直性に優れており、成膜時の基板の温度上昇を
防ぐ各種機構（基板水冷機構、電子銃用反射電子トラップ、輻射光防止対策）
により低温蒸着が可能です。

【特長】
■蒸着粒子の基板への入射角の垂直性（90°±3°at6インチウェハ）
■基板水冷機構による低温蒸着（70℃以下＝実績値）
■大口径排気系による高速排気とクリーンなバックグラウンドによる緻密な膜質
■豊富なオプション類による柔軟なハード＆ソフト対応（枚葉式＝CtoC化
　ロードロック化　複合プロセス化＝ロードロック化＋他プロセス室接合）
■デモ機を常設し、サンプルテスト対応可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

複数の自公転基板台の採用により、量産用としての処理量と優れた膜厚均一異性を両立したバッチタイプスパッタリング装置です。
サイドスパッタ方式により1ｍを超えるチャンバ系でありながら、基板やターゲットの着脱作業、真空層内のメンテナンスの簡易性を実現しました。
量産用途に最適なデータロギングシステムや装置制御や管理を容易にする制御インターフェースソフトなど量産用装置に必須な細かな配慮が組み込まれています。
３００ウェハに代表される大型基板の施策・少量生産に抵抗器やセンサーなどの小型電子部品の大量生産に、品質とスループットを両立いたします。
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水素の還元力を最大限に活用し従来に無い薄膜・基板表面の高品位化を実現
デリケートな化合物デバイスや誘電体基板の熱処理（べーく・アニール）に最適。
実績と経験に支えられた信頼性の高いハード構成で安全性も確保
電極・配線膜の高品質化に、高融点金属膜の抵抗値・応力制御に研磨後のウェハの終端処理に、特殊用途の熱処理に多くの実績を元に初期段階からテストを含めて対応 （詳細を見る）

半導体・ＭＥＭＳ・各種電子部品（センサー、水晶振動子等）の研究開発から本格量産まで幅広く対応する標準型蒸着装置のラインナップ。
全機種クリーンルーム、クリーンバキューム対応で各種選択機構を装備。
実績豊富な標準仕様から個別要求に細やかに対応。
蒸発源・加熱温度・基板機構（プラネタードーム・公転ドーム）操作・ロギングソフト　全てカスタマイズＯＫ
社内デモ機でプロセステストも対応　幅広く柔軟なハード＆サポート　

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基板の枚葉搬送を基本としたロードロックタイプスパッタリング装置、上位機種（マルチチャンバタイプ）のプロセスチャンバと搬送機構を共用。
高いレベルの膜質要求に対応、各種ＩＣ（ディスクリートＩＣ、カスタムＩＣ，化合物）の量産・試作。
次世代デバイスの開発（強誘電体膜開発、配向性窒化膜形成）に実績のソフト＆ハード
ＵＶ－ＬＥＤ用テンプレート用ＡｌＮ膜、センサー用酸化膜、高均一性電極膜、薄膜ヒーター、強誘電体（ＰＺＴ）膜、その他多くの実績 （詳細を見る）

従来型よりコンパクトなチャンバに大口径クライオポンプを採用、チャンバ各機構部に超高真空対応を採用し、クリーンな高真空環境を可能にしました。
蒸発源には水冷式反射電子トラップ付きの電子銃を使用しており、基板への電子の乳を防いだ低ダメージ成膜を実現しています。
実績豊富な６連式電子銃は高融点金属を含む多層膜電極形成に対応しています。また安定した蒸着が特徴でマイクロアークによる基板ダメージやドロップレットによる膜表面の異常を排除
プロセスや生産量に合わせてリフトオフ蒸着にも対応いたします。リフトオフ蒸着時は厚膜電極に対応した基板背面よりの水冷機構により貴金属厚膜電極の形成が可能です。
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