高精度・高放熱デバイス用基板/極薄ガラスクロス多層基板

当製品は、座グリ部にICを設置する事により、実装後基板
の背を低く抑える事ができる『高精度デバイス用基板』です。

LED光のリフレクター用で、カップ角度及び底面サイズは自由に選択可能。

この他にも「高放熱デバイス用基板」や「極薄ガラスクロス多層基板」
をご用意しております。

【特長】
<高精度デバイス用基板>
■実装後基板の背を低く抑える事が可能
■カップ角度及び底面サイズは、自由に選定できる
<高放熱デバイス用基板>
■各種放熱技術の組み合わせで、高度なご要求にお応え
■銅ピラーは圧入ではないためスルーホールメッキを痛めない

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

マザーボード・バックボード・サーバー用途で大型基板を製作可能です。
750mm×1,100mmの24層まで対応。

【特長】
■最大製品サイズ：1050×570mm
■銅厚＝300～400μmでのコア化対応可能
■最大総厚＝t5.0～6.0mm

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『HDI基板』は、樹脂板の表面に銅の回路配線を形成し、これを複数枚
積み重ね、加熱・接着することによって作られるプリント基板です。

4層～54層、板厚0.5mm～6.3mm、複数のインピーダンスコントロール仕様への
対応など、多様な仕様に対応が可能です。

特定の層間のみを接続するビアを使用した多層構造の「IVH基板」や、
1層毎に積層、レーザー穴あけ加工、配線・ビア形成などを繰り返す
ことで多層構造のプリント基板を作製する「ビルドアップ基板」がございます。

【IVH基板 特長】
■特定の層間のみを接続するビアを使用した多層構造の
　プリント基板を作製する方法
■集積度を向上させることができる

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当社では、『厚銅・特殊基板』を取り扱っています。
その中の一つとしてご推奨するのが、金属基板（アウタータイプ）
です。

【特長】
基板に金属を接着することで発熱した部品の熱を金属を通して放熱する基板。

■金属コア基板
　・金属コア部分と基板をTHメッキで結合
　・AL、銅など多くの金属に対応可
　・熱伝導性の改善、 高周波対応、EMI対策などにも有効


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当社では、銅内蔵の「放熱構造基板」を取り扱っています。

厚銅3層基板（内層銅厚0.2mm、総板厚0.35mm）、
極薄PP（0.03mm）を使用しています。

携帯電話カメラフラッシュ基板などの用途に使用されます。

【要求性能】
■回路とSRの合わせ公差が0.04mm
■金WB 実装用表面処理（無電解NiPdAuめっき）
■外形間センターラインと部品パット間センターラインとの
　ズレ公差が±0.075mm

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当社では、放熱基板『高精度放熱Via』を取り扱っています。

基板適用工法は、一般貫通TH、BVH、IVH、ビルドアップ工法に対応。

仕上げメッキは無電解NiAu、ボンディング用NiAuその他インピーダンス
コントロールに対応します。

高精度機械加工と高放熱構造の組み合わせにより、高度なご要求にお応えします。

【特長】
■基板適用工法：一般貫通TH、BVH、IVH、ビルドアップ工法対応
■仕上げメッキ：無電解NiAu、ボンディング用NiAu
　　　　　　　　その他インピーダンスコントロール対応
■樹脂ダム構造 高・低 両規格に対応

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当社では、放熱基板『放熱 Via』を取り扱っています。

電子部品の高性能及び小型化に伴い発熱量が増え、電子機器の性能維持及び
長寿命化の点から、部品の発熱を空間からパターンへ逃がすような放熱経路が
必要になってきています。

これらの問題に対し放熱対策として提案いたします。

厚銅基材の多層化も可能で、今までにない新たな用途への展開が可能です。

【特長】
■厚銅基板 銅箔厚210μm
■銅ペーストVIA 穴埋め(熱伝導率 0.58～7.8W/mk)
　・小径VIA φ 0.15 ～対応可能、
　・有底VIAの穴埋めも自社内での真空穴埋め対応可能

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当社の『高密度基板』は、セミアディティブ工法を用い、微細パターンに
対応いたします。

一次銅にUTCと呼ばれる5μmの銅箔を採用、基材種によらず安定した
ピール強度が得られ、Pd残留による金めっきの異常析出を防止。

また電気銅めっきにビアフィルめっきを採用することにより、
めっき厚のばらつきを抑え、フィルドビアに対応。

エニーレイヤー・スタック構造・複数段ビルドアップ配線板を核として、
両面板から多層板まで各種基板のご要望にお応えします。

【特長】
■10N/cm以上のピール強度
■電気銅めっきにビアフィルめっきを採用

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当社では、特殊加工の『高精度デバイス用基板』を取り扱っています。

ザグリ加工精度は±20μm、レーザー加工による高精度外径加工は±10μm、
パターンとの位置合わせ高精度加工は±50μです。

座グリ部にICを設置する事により、実装後基板の背を低く抑える事が可能です。

【高精度加工】
■ザグリ加工精度：±20μm
■レーザー加工による高精度外径加工：±10μm
■パターンとの位置合わせ高精度加工：±50μ

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基板下面にあらかじめ半田めっき、あるいはすずメッキを施し、金属板と熱圧着をすることで、完全な面での接合を提供します。

基板には低誘電材を用いた高周波対応基板や、フッ素樹脂基材を使用することも可能です。こうした組み合わせでは、高周波利用での非常に有効な放熱構造の提供が可能です。

加えて、RFでのＥＭＩ対策にも有効となります。 （詳細を見る）