DLCにおけるRAM CATHODE sputtering （4面対向式スパッタカソード）の有効性

RAM CATHODE（4面対向式カソード）により、イオン化率を劇的に向上させ
HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能

【従来のスパッタリング法】
カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、
強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。

【当社が開発したRAMカソード】
４面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により
プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。
拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、
互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、
DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。

その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

RAM CATHODEは、ターゲットを4面対向式にすることで、イオン化率を劇的に向上させ
HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能

【従来のスパッタリング法】
カーボンのイオン化率が低い為、硬度なta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、
強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。

【当社が開発したRAMカソード】
４面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により
プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。
拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、Cfluxが、
互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、
DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。

その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。
また、表面処理も不要なため、品質面も良く、時間工数も削減可能です。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）