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2022年4月15日（金）MST熊本営業所がオープン致しました！
熊本営業所を拠点とし、九州地区のお客様へ更なるサービス向上を目指します。
MST九州地区初の熊本営業所がオープン致しました。 熊本営業所を拠点とし、九州地区のお客様へ更なるサービス向上を目指します。 貴社へ訪問してのお打ち合わせ、営業所での分析相談も可能です。 東京本部（ラ…
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RPA で業務改善を実現。既存プログラムの改善や新規開発、開発者向け研修など、包括的なサポートが可能
当財団は、エレクトロニクス分野・ライフサイエンス分野を 中心とした受託分析を行っています。 また、人が行っていたPC上の単純作業を、ロボットが代わりに行う 『RPA の運用支援サービス』も併…
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負極の断面構造・表面形状、活物質断面の元素マッピング像など複合的にアプローチ！
リチウムイオン二次電池の負極での容量低下の一因として、 活物質と電解液の界面反応により活物質表面に様々なリチウム塩化合物が 複合化したSEI（SolidElectrolyteInterphase）…
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【資料】リチウムイオン二次電池電解液成分の分布シミュレーション
電解液界面近傍の模式図や電解液中の溶媒和構造などを図を用いて詳しく掲載！
リチウムイオン二次電池の充放電過程において、電解液中及び負極との界面近傍では溶媒和の形成、脱溶媒和、電気二重層の形成、Liイオンの脱挿入など様々な現象が生じています。 当資料では、有効遮蔽媒質法…
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乳化粒子や無機粉体の形状確認が可能！リキッドファンデーションの塗膜をマクロからミクロまで可視化
当財団が分析した、X線CT・クライオSEMによる化粧品の3D観察の事例を ご紹介します。 プラスチック基材に塗布したリキッドファンデーションをX線CTおよび クライオSEMで観察し、試料内部…
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新型コロナウイルス（COVID-19）PCR検査受託サービスを開始致しました。
こんなお悩みありませんか？ ■ 会社で集団検査を実施したい ■ 直接来所して検査を済ませたい ■ 自宅で手軽に検査したい 詳しくはホームページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください…
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『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント
高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM（透過電子顕微鏡法）の基礎知識や分析事例を収録
TEM（透過電子顕微鏡法）は、薄片化した試料に電子を照射し、 試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 MSTでは、TEMの特徴や試料作製方法など基礎知識を掲載した…
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MFMは、磁性膜でコートされたプローブを用いて、サンプル表面近傍に生じている漏洩磁場を測定し、磁気情報を得る測定手法です。
・サンプルの磁気特性の情報を定性的に取得可能 ・漏洩磁場による引力・斥力をイメージング可能 ・漏洩磁場の勾配の大きさに比例した磁気力の信号を得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も同時に取…
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『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈
非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的な分析事例を掲載
MSTは、非破壊検査の受託分析サービスを行っています。 実際の分析事例や、分析手法の基礎的な解説を掲載した冊子を ご希望の方全員に無料でプレゼント中です。 【掲載内容（一部）】 ■X線…
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セラミックスの昇温脱離ガス分析
熱的に安定なα-アルミナは耐熱材料、半導体パッケージ、半導体製造装置の部品など、幅広い用途で 利用されており、中でも緻密質のα-アルミナは真空装置の部材としても用いられます。しかしこのような 部材…
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アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します
シリコーン製品からアウトガスとして発生するシロキサンは、揮発しやすく基板等に付着しやすい成分です。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出る…
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【分析事例】リートベルト解析法による粉末結晶材料の構造精密化
粉末X線回折データから結晶構造の精密化が可能です
本資料では、リチウムイオン二次電池の正極活物質として利用されているLi(Ni,Mn,Co)O2の粉末X線回折データに対するリートベルト解析事例を紹介します。シミュレーションによって実測の粉末X線回折デ…
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固体中の有機体・無機体炭素量を評価することが可能です
全有機体炭素測定計（TOC計）は、試料中の全炭素（TC：Total Carbon） 、無機体炭素（IC：InorganicCarbon）をそれぞれ分けて定量することが可能です。サンプルは水溶液にするこ…
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リキッドファンデーションの塗膜をマクロからミクロまで可視化
プラスチック基材に塗布したリキッドファンデーションをX線CTおよびクライオSEMで観察し、試料内部の分散状態を可視化しました。 X線CTでは非破壊かつ非接触で巨視的な形態を確認でき、クライオSEMで…
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X線CTにより製品の内部構造を非破壊で評価可能
X線CTは非破壊で試料の内部構造を測定できる分析手法であり、化粧品内部の異物、空隙、亀裂などの異常箇所の調査や、パール剤等の分散確認などの出来栄え評価に適しています。 本事例ではファンデーションや口…
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デバイス内部の構造を複合的に評価します
MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介…
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X-ray Computed Tomography
試料にX線を照射することで、試料内部構造の二次元透過像を取得します。また、試料を回転させた連続撮影データから、X線CT（Computed Tomography）像を構築します。 ・非破壊で、試料…
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SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法です。
・試料中の特定元素（特にB,C,N,O等の軽元素）に着目した化学結合状態の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル（XAS）との同時測定によ…
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官能基の変化を捉えることで樹脂の硬化度を評価することが可能です
耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。…
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官能基の変化を捉えることで樹脂のイミド化率を評価することが可能です
耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。…
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部材同士を接触させ、実プロセスに近い環境での脱ガス評価が可能
はんだを用いた金属の接合は、エレクトロニクス分野において欠かすことのできない工程のひとつです。 金属とはんだが接触した状態で加熱した際の脱ガスは、ボイドの原因となることが知られています。 以下に、…
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真空中での有機物からの脱ガス挙動を調査可能です
エポキシ樹脂は半導体封止材として、また真空装置内外で接着剤や真空リーク対策として使用されています。しかし硬化後であっても加熱により脱ガスが発生する場合があり、製品や装置に悪影響を及ぼす可能性があります…
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サンプル内部の形状変化をin situで測定・解析
試料に応力（引っ張りもしくは圧縮）をかけた状態でX線CTによる内部構造分析を行うことが可能です。 本資料では、発泡ゴムを例として、通常状態と伸ばした状態においてin situ X線CT測定を実施し、…
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複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です
TDS（昇温脱離ガス分析法）は真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温しながら脱離成分と脱離温度を確認できる手法です。さらに有機物を同定できるGC/MS（ガスクロマトグラフィー質量分析法）とTDSの結果を…
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X線CTによる観察事例
リチウムイオン二次電池はスマートフォン・デジタルカメラなど、幅広く使われている電池です。リチウムイオン二次電池は充放電を繰り返すことで劣化し、電池が膨らむ現象が発生することがあります。この現象が発生し…
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官能基の変化を捉えることで樹脂の硬化度を評価することが可能です
耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。…
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デバイス内部の異常を非破壊で評価します
外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認し…
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製剤中の農薬原体・無機成分の分布を可視化できます
TOF-SIMSは成分を分子イオンの質量から同定するため、蛍光物質などの標識をせずにイメージング分析が可能です。また、有機成分だけではなく無機成分も測定することにより、農薬原体だけでなく、製剤に混合さ…
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食品の内部構造をX線CTによって非破壊観察
食品の食感を科学的に評価する上で、内部の空隙は柔らかさを評価するための指標となります。 パンケーキ内部の空隙を評価するため、材料となる卵を通常量使用したパンケーキ[1]と倍量使用したパンケーキ[2]…
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【分析事例】シームレスカプセルの三次元構造観察および膜厚解析
X線CTによりシームレスカプセルの評価・解析が可能
シームレスカプセルとは、球形の継ぎ目のないカプセルで、内部に粉末や液体を内包することができ、医薬品などに利用されています。 本事例では、X線CTにてシームレスカプセルの3D構造を評価しました。その結…
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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じる…
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着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です
走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）及び走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は、どちらも二次電子像を得ることで試料表…
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製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加…
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化するこ…
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のな…
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性…
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【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、…
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【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役…
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目的に応じた毛髪成分の評価が可能です
TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にでき、またイメージ分析が可能であることから、試料中の着目成分の分布・浸透具合の解析に有効な手段です。 毛髪に対して測定法と加工を組…
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構…
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスク…
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炭素材料中の官能基や不純物などに起因する脱ガスについて評価可能です
グラフェンの電子放出素子への応用や、カーボンナノチューブへの水素貯蔵など、炭素材料は真空中での用途が増えてきています。そのため真空中での炭素材料からの脱ガスを評価することは、今後の炭素材料の応用の上で…
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純水やウエハ洗浄液等、様々な溶液の高感度分析が可能です
ウエハ洗浄工程で使用した洗浄液中の金属量や、装置や建屋に併設された配管内を通る純水中の金属量など、ICP-MSは溶液中の金属量を高感度に分析することができます。また、溶液の種類も純水・酸・アルカリ等、…
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）
SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 S…
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られてい…
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一般財団法人材料科学技術振興財団 MSTへのお問い合わせ
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