セイコーフューチャークリエーション株式会社 【資料DL可：FIB】FIB装置によるSi基板へのパターン描画
- 最終更新日：2023-12-12 08:38:44.0
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FIB装置でシリコン基板上に高精度のパターン形成を行えます。マスクレスで可能なので試作に最適です。
FIB(Focused Ion Beam：集束イオンビーム)装置ではマスクレスで任意形状のパターン描画(パターン形成)を行うことが可能です。
・エッチングによるパターン描画では、1ドットあたり0.1μm程度の大きさで描画が可能です。（加工を行う材質、加工条件により最小サイズは変わります）
・ マスクレスでイオン注入を行うことが可能です。
・ デポジションによるパターン描画も可能です。
この事例では
FIB装置で実際にシリコン基板上へパターンをどのように描画するか
を紹介しています。
尚、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。
具体的には以下のとおりです。
・配線の切断
・配線の接続
・特性評価用のテストパッドの作製
等を適切に短納期で行い、お客様のICおよびLSI開発のお手伝いをさせていただいております。
お気軽にご相談いただければ幸いです。
※詳細が必要であればお気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報【資料DL可：FIB】FIB装置によるSi基板へのパターン描画
●目的:FIB装置によるマスクレスでのパターン描画
●手法:FIB装置
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