【STEM/EDS】Auめっきされたコネクタ端子接点不良解析セイコーフューチャークリエーション

STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です

STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。
以下の特長もあります。
・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察
・観察対象が結晶質であるかの判断
・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得

本事例では
「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」
を紹介します。

ぜひPDF資料をご一読ください。

また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。

お気軽にご相談いただければ幸いです。
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関連リンク - https://www.seiko-sfc.co.jp/analysis-service/case.…

基本情報【STEM/EDS】Auめっきされたコネクタ端子接点不良解析

●表面を保護するサンプリング法により、端子表面の付着物層(20nm程度)が損失なく確認可能
●EDS分析結果より、付着物の主成分はC(炭素)、O(酸素)であるため接点不良は有機物汚染によるもの判断

●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください

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