CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

PR小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 ＊直径: 100-200 mm ＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

【テカン】JASIS出展：OEM製品紹介 9月6日～8日

PROEM用の精密ポンプやロボットアーム、医療機器／診断機器の開発・製造受…

テカンは、液体ハンドリング分野において世界的に卓越した技術を持ち、 法規対応した数多くの体外診断薬自動分析装置の開発と製造に実績があります。 ■高品質な自社発の前処理、自動分析装置を新たに上市したい方 ■ご使用中のシステムの前処理装置や次世代装置の開発製造やその効率化にご興味をお持ちの方 ぜひブースにてお気軽にお声をかけてください。 ご来場を心よりお待ち申し上げます。 【J...

メーカー・取り扱い企業： テカンジャパン株式会社

【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ

ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立された FAB…

■新製品開発 ⇒新世代半導体製品を展開 ■品質 ⇒徹底した品質サポート 　 ■技術サポート ⇒各設計段階のニーズに応じた技術をご提供 ■納期 ⇒ご相談ください。　 製品はモバイル機器、5G通信設備、自動運転向けデバイス、ワイヤレス充電設備、　クラウドサーバ用途、産業設備、 自動車向けに広く採用されています。 国内外メーカーの代替品となる製品もござい...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

GBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【POTENS】600V以上高耐圧品　MOSFET相当品情報多数

汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ …

POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。 高耐圧600V～1500V製品まで、クロ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで！

汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや…

Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ