新規次世代パワー半導体の研究開発拠点を開所

PR低損失化、高耐圧化、小型化の面で優位性を持つ、GeO2半導体の製膜事業…

株式会社クオルテック(本社：大阪府堺市、以下「クオルテック」)は、 「滋賀県立テクノファクトリー」内に、新規半導体材料を使用した パワー半導体の製膜における研究開発拠点を開所しました。 開所式にはクオルテックが本研究開発に関して資本業務提携し、 「琵琶湖半導体構想(案)」を推進する立命館大学発ベンチャー、 Patentix株式会社(本社：滋賀県草津市)も出席し、開所式を行いました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック

SR-SCOPE DMP30 電気抵抗式膜厚測定器

PR裏面や内層材の影響を受けずに銅の膜厚を測定

【SR-SCOPE DMP30】は、プリント回路基板上の銅の厚さを迅速かつ高精度に非破壊で、基板裏面にある銅層の影響を受けずに測定することができる電気抵抗式の膜厚測定器。堅牢で近代的な新しいデザイン、デジタルプローブと新しいアプリケーションソフトウェアにより、プリント基板表面の銅の膜厚測定に好適。保護等級IP64のアルミ製の筐体、落下などから筐体を保護するソフトバンパー、強化ガラスの液晶ディスプレ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フィッシャー・インストルメンツ

技術情報誌 202001-01 in-situ STEM

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

どが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ（magnetic tunnel junction）構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】めっき試料の脱ガス評価

Ni/Auめっきの昇温脱離ガス分析（TDS）

めっき膜にガスが含有されている場合、はがれや膨れ、膜中の気泡など不良の原因となる場合があります。めっき膜に含有されているガスについて調査するには、高真空中で試料を昇温させて脱離したガスを測定できるTDSが有...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ご希望者全員プレゼント！表面分析の基礎と受託分析事例

〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基…

MS分析でできること 　■各手法の詳細情報 　　　・XPS　X線光電子分光法 　　　・TOF-SIMS　飛行時間型二次イオン質量分析法 　■分析事例 　　　・XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価 　　　・Cu表面の酸化状態の定量 　　　・XPS多点測定による広域定量マッピング 　　　・XPSによるDLCの評価 　　　・リチウムイオン二次電池におけるLiの結合状態別定量 　　...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiN膜中の金属汚染評価

ICP-MSによる高感度分析

Siウエハ上のSiN膜（Si3N4）を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこで、Siウエハ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

微小異物分析のためのサンプリング技術

エレクトロニクス製品の歩留に大きな影響を与える異物について、各種サンプ…

■多層膜中異物の特殊サンプリング技術 ・基板上金属膜に埋もれた異物 　金属膜エッチング⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析 ・多層薄膜中の異物 　表面層の切り取り⇒Siウエハに載せ替え⇒F...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】アルミニウム(Al)表面のOHの分布、状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捕らえることが可能

原因の調査に欠かせません。TOF-SIMSは最表面での深さ方向分解能に優れ、無機物の状態をモニターしながら高感度に深さ方向分布を測定することが可能です。OHと併せて深さ方向分布を評価することで、酸化膜厚の変化を伴わずにOHが増加していた現象を見出しました。このようにTOF-SIMSでは元素分析では得られない、無機物の分子情報の深さ方向分布を評価することが可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

腐食分析の受託サービス｜JTL

金属の錆分析や樹脂やゴムの劣化分析により、お客様の問題解決をサポートし…

【特徴】 ●金属腐食分析 金属錆発生の必要条件は水と酸素です。 またハロゲンや硫化物は表面酸化膜を破壊し錆を促進させる因子です。 SEM-EDX、ED-XRF、EPMAによりこれらの錆に由来する元素を表面や断面から分析することができます。 ●錆の同定分析 鉄錆（酸化鉄）には主に赤錆（...

メーカー・取り扱い企業： JAPAN TESTING LABORATORIES株式会社 本社

半導体分析

各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！

半導体材料分析項目 原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚 表面形状、断面構造(膜厚) 結晶性(面方位)、積層膜の周期構造 表面組成、結合状態、深さ方向分布 不純物濃度、深さ方向分析 結晶構造、応力歪 構成元素、組成 表面のヤング率、硬度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】金属膜の高温XRD評価

昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

Pt をSi 基板にスパッタ蒸着させた試料に対して、昇温させながらOut-of-plane XRD, In-plane XRD 測定をそれぞれ行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度が増加し、半価幅が小さくなり、結晶化が進行していることが分かりました。 また、温度が上昇するにつれ、熱膨張によりピークが低角度側（格子間隔が広がる方向）にシフトしていることを確認でき...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【受託分析】レーザー顕微鏡（観察＆測定）

広範囲での観察、計測も可能！レーザー顕微鏡を用いた受託分析のご紹介です

当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができ、対象の サイズや求める精度により、適した対物レンズを選択し、観察や測定を実施。 範囲はレンズに応じて異なりますが、連結機能を有しているため、広範囲での 観察、計...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【受託分析】レーザー顕微鏡（高精度3D測定＆カラー観察）

試料表面の凹凸形状の3D測定や透明体越しの表面形状測定などが可能です！

観察、計測を実施。測定結果は国家基準につながる トレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。 レーザー顕微鏡では、試料表面の凹凸形状の3D測定ができ、透明体の膜厚形状や 透明体越しの表面形状測定が可能です。 【特長】 ■試料表面の凹凸形状の3D測定が可能 ■透明体の膜厚形状や透明体越しの表面形状測定が可能 ■408nmレーザーを用いて観察、計...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】カーボン膜の構造評価

構造特定・結晶性・sp3性の評価

カーボンを構成元素とする物質にはダイヤモンド、グラファイト、カーボンナノチューブ、グラフェンなどの結晶構造を持つものとダイヤモンドライクカーボン（DLC）のようにアモルファス構造のものがあります。ラマン分光法はこれらの物質の構造特定や結晶性、sp3性の評価などに有効です[1][2]。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定する...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202102-04 新規RBS装置の導入

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

．NRAによる軽元素の高感度測定 ４．重元素の質量分解能向上 ５．まとめ 【図表】 図1～図8 RGB各画素で取得したRBSスペクトル 各元素の質量分解能と感度（理論計算値） SiON膜(100 nm)/Si基板：RBSスペクトル、NRAスペクトル IGZO膜(300 nm)/Si基板：RBSスペクトル IGZO膜のGa/Zn比の比較...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各種材料のバルク分析や半導体プロセス中のガス成分の混入評価などに最適です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST