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PR低コスト多機能CAD/CAMシステム「OneCNC」
OneCNCはアメリカ、ドイツ、イギリスなど世界中で実績のあるCAD/CAMシステムです。 2D加工~3D加工、旋盤加工に対応しており、2D加工モジュールで28万円(税別)、上位の3D加工モジュールで88万円(税別)と 低価格ながら高速加工やシミュレーション機能等の豊富な機能が搭載されています。 また同一モジュール2台分の価格で同時10台利用可能なネットワークライセンスは従業員数の多い大...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社Aiソリューションズ 本社
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重量物の遠隔操作アーム式ロボット※2tまで対応可能で省力化に貢献
PR【省力化】数10キロから2tまで重量物ハンドリングをする遠隔操作アーム…
数10kgから2トンまでの重量物を、アームで離れた距離からつかみ、 回転、反転、旋回をし、別の位置に置いたり、挿入したり作業が行えます。 アーム式の為コンパクトで、省スペース設置を実現。 遠隔操作で、涼しい部屋・安全なエリアでの操作が可能。 耐熱性が求められる作業、タンディッシュ解体やポーラスプラグ挿 入、ノロ掻き作業等の省力化、自動化にもお応えします。 【アタッチメントに...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社サーボアームサービス
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2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。
株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450mmウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系:熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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3インチ~12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…
CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径:3インチ~12インチ SOI層:2-200um程度(抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能) SiO2(酸化膜)層:0.5-2um程度(0.1-10umも対応可能) 支持基板:300-725um程度(直径によりま...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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1インチ以下~450mmまで提供が可能です。各種成膜加工、FZウェーハ…
ーハを取り扱っております。 〇SOIウェーハ CZ・FZウェーハを使用した新規作成での対応も可能です。 新規作成の場合,最小枚数は10枚程度からのご提供になります。 直径:3inch-12inch SOI層:2-200um程度(抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能) SiO2(酸化膜)層:50nm-2um程度(0.1-10umも対応可能) 支持基板:300-725um程度(抵抗1万...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…
おります。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ ingot(即納可能) 納品時にはメーカーのCofCをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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少量ウェーハに対応!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! ハ…
CZ ハーフinch〜450mm(プライム/テスト・モニター/ダミーウェハ) *パーティクル管理されていないものなどもご紹介可能です。 *通常1カセット25枚ですが、在庫状況により少量でも対応可能です。 FZウェーハ2インチ〜8インチ *センサー向け1万Ωを超えるような高抵抗FZ *中耐圧のパワーデバイス向けガスドープドシリコン *高耐圧...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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直径30mm程度から8インチ、高ライフタイム、1万オームを超えるような…
Z ingot(即納可能) 納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。 ウェーハへの加工も可能です。 仕様) 仕上げ: as ground 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 Ingot length (mm) : 200 - 400 第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 D...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…
「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 *直径: 100-200 mm *Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous *Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm *Epi厚: 1-150 um *Stacking fault: 1...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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