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フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』
PR薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・故障解析用プロセス対応。多機能…
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、RIE/ICP-RIE、PECVD/ICP-CVDに対応し コンパクトながら高性能かつ多機能な半導体製造装置です。 成膜とエッチングプロセスを一台で実現し、様々なウエハサイズと形状に対応可能。 シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要です。 世界で広く採用されており、Plasma-Therm LLCの グ...
メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
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PR高速かつ正確なガラス微細加工が可能。加工時の応力を抑えて、マイクロクラ…
『LPKF Vitrion M 5000 Gen2』は、独自に開発した「LIDEプロセス」を採用し、±5μm以下の高精度でガラス微細加工が可能なレーザーシステムです。 加工時の応力を最小限に抑え、チッピングやマイクロクラックの発生を防止。 アドバンストパッケージングで標準使用される150×150mmから 510×515mmまでの大型パネルに対応し、基板のサイズや 形状に合わせて柔軟に対...
メーカー・取り扱い企業: LPKF Laser&Electronics株式会社
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微細 高純度 α相/β相 窒化ケイ素(Si3N4)粉末。 ミクロンスケ…
■製品スペック(COA : 量産品代表値。) <α相 D50=1μm - 2μm品の場合> Si3N4 純度≧99.9% α相>90.0% 不純物濃度(ICP-MS) Fe=45ppm Al=14ppm Ni=11ppm W= 9ppm Zn=<1ppm Ca=<1ppm C/O濃度測定(赤外線吸収法) C=0.06wt% O=1...
メーカー・取り扱い企業: 日本NER株式会社
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短時間で100nmレベルへの粉砕が可能!リチウムイオン電池負極用シリコ…
【化学成分(測定方法:ICP-OES)】 ■Si (%):> 99.99 ■Fe (ppm):26 ■Al (ppm):11 ■Ti (ppm):< 1 ■Ni (ppm):144 ■Cu (ppm):< 1 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本NER株式会社
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Mg純度≥99.90~99.95% : 7.5kg/Ingotから各種…
6 Cu(ppm) 11 10 Al(ppm) 22 20 Mn(ppm) 18 15 *ICP発光分光分析装置による元素測定。 量産品の測定結果ですが、保証値ではありません。 保証スペックについては、契約により定めます。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本NER株式会社
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物理蒸着法(PVD)による球状 銅(Cu)粉末。 サブミクロン~1mm…
■製品スペック(COA : 量産品代表値。) Cu 純度:≧99.0%(2N) 不純物濃度(ICP-MS) Fe=21ppm Al=22ppm Ni=26ppm C/O濃度測定(赤外線吸収法) C=0.4479wt% O=0.6104wt% 粒度(レーザー回析・...
メーカー・取り扱い企業: 日本NER株式会社
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酸化マグネシウム (MgO) 粉末 <金属Mg水蒸気反応方式>
高純度金属Mgに高温の水蒸気を反応させた MgO純度99.9%以上の…
.6ppm NiO 3.6ppm Cu2O 0.8ppm ZnO 0.4ppm SiO2 25.2ppm SO4 1.8ppm ICP発光分光分析装置により元素を定量した後、化学量論による酸化物換算値を算出。 <粉体物性(代表値*)> 粒子径分布 D50=2.605 µm(レーザー回析・散乱法) 比表面積 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本NER株式会社
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物理蒸着法(PVD)による球状 ニッケル(Ni)粉末。サブミクロンスケ…
■製品スペック(COA : 量産品代表値。) <D50=0.2μm - 0.3μm品の場合> Ni 純度:≧99.0%(2N) 不純物濃度(ICP-MS) Fe=30ppm Al=28ppm Cu=31ppm C/O濃度測定(赤外線吸収法) C=0.1153wt% O=1.4650wt% 粒度(レーザー回析・...
メーカー・取り扱い企業: 日本NER株式会社
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