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【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか?
PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…
キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...
メーカー・取り扱い企業: パワーコントロ―ル社
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SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』
PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素(…
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…
【その他の特長】 ■破壊の初期状態を検知し、後工程となる故障解析が容易なサンプルの作製が可能 ■MOSFET、IGBT、SBD、FWDなど、全てのパワー半導体に対応可能 ■同時に16素子までの試験が可能(ただし、試験サンプル・試験条件による) ■試験機を50台保有してるため試験のスケジュール調整が...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社クオルテック
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