SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか？

PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

メーカー・取り扱い企業： パワーコントロ―ル社

ドライブ用高速トランス『TFシリーズ』

動作温度範囲は-10℃～+70℃！コアサイズが12.5mmの超小型高耐…

当社が取り扱う、ドライブ用高速トランス『TFシリーズ』 をご紹介します。 パワーMOSFET＆IGBT駆動回路をはじめ、フィードバック用途等の 高耐圧信号絶縁、そのほか高耐圧・小型が要求される回路に好適。 低リーケージインダクタンス、低入出力間容量で、 コアサイズが12.5m...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

ドライブ用高速トランス『FDTシリーズ』

高耐圧・小型が要求される回路などに使用可能！コアサイズが8mmの超小型…

ズ』 をご紹介します。 動作温度範囲は-10℃～+70℃、保存温度範囲は-20℃～+105℃。 低入出力間容量で、コアサイズが8mmの超小型高耐圧品と なっております。 パワーMOSFET＆IGBT駆動回路をはじめ、フィードバック用途等の 高耐圧信号絶縁、そのほか高耐圧・小型が要求される回路などに 使用いただけます。 【特長】 ■超小型高耐圧品(コアサイズ 8mm) ...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

ドライブ用高速トランス高耐圧品『ADF／ATFシリーズ』

高耐圧・小型が要求される回路などに好適！低リーケージインダクタンスの高…

当社が取り扱う、ドライブ用高速トランス高耐圧品『ADF／ATFシリーズ』 をご紹介します。 パワーMOSFET＆IGBT駆動回路をはじめ、フィードバック用途等の 高耐圧信号絶縁、そのほか高耐圧・小型が要求される回路などに好適。 「ADF」はコアサイズ8mm、「ATF」はコアサイズ13mmの超小型...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社