P-DUKE【XTBF500】伝導冷却 500W AC/DC電源

PR伝導冷却を利用し、厳しい動作環境用に設計された 超小型 500W AC…

P-DUKE社 XTBF500シリーズは、TBF500（フルブリックAC/DC電源）とその周辺回路を統合し「使いやすさ」をコンセプトにしています。 フルブリックモジュールと周辺デバイスを統合し、EMC規格 EN/IEC 50032 クラスB (CEクラスB、REクラスA) に準拠しています。 シャーシより放熱することで、周囲温度40℃でも負荷100％で動作し、過酷なアプリケーションや、厳しい環境条...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ジェムコ

紙やフィルムをカットして空気輸送可能な産業用送風機　カットブロワ

PRメンテナンス対応！シュレッダーを用いずカットブロワ1台で切断と空気輸送…

『カットブロワ』は、紙やフィルムをカットして空気輸送が可能な 産業用送風機です。 スリッターロステープ等のワークを、吸引～カット～輸送までが1台で可能。 小型カットブロワから大型カットブロワまで、お客様のご要望に合わせて 設計、製作を行います。 また、ご要望に合わせて事前にカットテストが可能で、設備導入前に 実施する事で、カット後の状況を事前に確認する事ができます。 【特...

メーカー・取り扱い企業： 日新技研株式会社

【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

対象元素に応じて測定条件を選択

を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を高めて測定を行いました。 Pの分析(図4)ではa-Si中に多量のHが存在して質量干渉を起こすため、高質量分解能法によりH+Siを分離してPのみを検出する条件で測定を行いました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池電極界面および有機膜の分散状態評価

雰囲気の影響を最小限に抑えた総合的な評価解析が可能です

有機デバイスは酸素や水に影響されやすい材料を使用したデバイスです。MSTでは雰囲気の影響を最小限に抑えたサンプル搬送・加工方法・測定環境を整え分析を行っており、より真に近い状態評価が可能です。XPS分析で有機膜と電極の界面の状態評価を評価しました。有機膜表面に存在するチタニアの組成、結合状態を確認できます。TOF-SIMS分析でバルク・へテロ構造有機薄膜太陽電池の有機膜中のP3HT (p型有...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［IP法］Arイオン研磨加工

IP法は、研磨法の一種でイオンビームを用いて加工する方法です

IP法は、エネルギー及び方向を揃えたイオンビームを試料に照射したときに試料表面から試料原子が弾き飛ばされるスパッタリング現象を利用して、試料表面を削り取る方法です。 イオン種は通常試料との化学反応の心...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

量子化学計算による色素分子UV-Visスペクトルシミュレーション

UV-Visスペクトルシミュレーションにより分子の電子的性質が調べられ…

ピグメントレッド254(p-Cl DPP)は鮮明な赤色を呈するDPP(ジケトピロロピロール)顔料の一種です。DPP顔料は優れた耐候性を有する赤色顔料として用いられ、さらに大量生産しやすく低コストのため有機EL材料としての活用も期待されて...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

表面に凹凸のある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外にもパワーデバイスなどの深い接合評価、トレンチ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Liの結合状態分析

他元素を波形解析することでLiの結合状態別存在比を算出出来ます

て、SEI層(固体電解質界面)は電池の寿命に大きく関わる要素であり、そこに含まれるLiの化学種を知ることは重要です。Li自身はケミカルシフトが小さく直接の評価が困難ですが、結合相手元素（C,O,F,P）を波形解析で状態分離することにより、Liの結合状態別存在比を算出することが出来ます。サイクル試験前後のLiの状態評価をしたところ、試験後では試験前に比べて、Li2CO3, Li-POxFyの存在比...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Cu表面のXPSによる酸化状態評価

Cuスペクトルの成分分離、定量、膜厚算出

Cu2p3/2スペクトルとCuオージェスペクトル等の解析から、Cu表面の結合状態・定量評価・膜厚評価が可能です。 主な応用例として、Cu配線のCMP処理・洗浄の評価、Cu電極の錆・変色調査が挙げられます。 各種処理を施したCu表面状態および酸化膜厚についてまとめます。 （クリーンルーム環境下にて処理し、直後に測定を行うことが可能です。）...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV～300eVを用いて測定した例を示します。...

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【分析事例】SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

１. 斜め研磨した試料面に2探針を接触させ直下の広がり抵抗（Ω）を測定する ２. 標準試料の測定より校正曲線＊）を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う ＊)校正曲線は導電型(p型/n型)、および面方位によって異なります ３. 比抵抗とキャリア濃度の関係式＊）を用いてキャリア濃度(/cm3) を算出する...詳しいデータはカタ...

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【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の出来映え評価や故障解析に有効なツールの一つです。...詳しいデ...

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【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。 一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。...詳しい...

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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性（p型/n型）の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...■電気容量変化によるキャリア分布の可視化 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST