• ドリル・タッピングマシン/ HS-ASPE社 製品画像

    ドリル・タッピングマシン/ HS-ASPE社

    PR圧倒的な生産性で内径ネジ加工 【動画公開中】

    切削or転造タップを使用し、内径のネジ加工を行うタッピングマシン。 世界的なパーツフォーマーメーカーであるイタリア・SACMA社の傘下であるHS-ASPE社が冷間鍛造品の二次加工機として開発しました。 リバーシブルスピンドル仕様のため、貫通ナットだけでなく幅広いワークに対応が可能です。 非常に高い生産能力を誇り、M2-M12のネジに対応するT10-HCの場合、分間200ヶのワーク加工が可能。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ゴーショー

  • コネクタ形状を間違えた!→【光アダプタ/変換プラグ】で解決します 製品画像

    コネクタ形状を間違えた!→【光アダプタ/変換プラグ】で解決します

    PR「短くて繋げない」「コネクタ形状が違う」ケーブルの緊急トラブルを解決し…

    様々な場面で必要になる「ケーブル」について、こんなトラブルはありませんか? 「ケーブルが明日必要なのに、ケーブルが短い!」 「コネクタの形が違うため接続が出来ない!調達する時間もない!」 ★データコントロルズの光アクセサリで、こんな緊急トラブルを解決します★ 中継アダプタ、変換プラグ、光パッチパネルなど常時在庫多数なため 15時までのご注文で最短翌日に納品可能です! 【トラブル解決事例】 ケ...

    メーカー・取り扱い企業: データコントロルズ株式会社

  • [SCM][SNDM] 製品画像

    SCM][SNDM]

    キャリア分布を二次元的に可視化

    SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM:1015~1020cm-3, SNDM:1014~1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性(p型/n型)の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価 製品画像

    【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

    試料解体から測定まで一貫して対応します

    本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM(走査型静電容量顕微鏡)を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価 製品画像

    【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

    断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

    表面に凹凸のある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析 製品画像

    分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

    デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

    の配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。 測定法:EMS,SCM,SEM 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析 詳しくは資料...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 研究開発を強力サポート 「受託分析サービス」 製品画像

    研究開発を強力サポート 「受託分析サービス」

    お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

    IR フーリエ変換赤外分光法 Raman ラマン分光法 ○X線回折関連 XRD X線回折法 SAXS X線小角散乱法 XRR X線反射率法 ○SPM関連 AFM 原子間力顕微鏡法 SCM 走査型静電容量顕微鏡法 SSRM 走査型広がり抵抗顕微鏡法 ○その他の測定法 白色干渉計測法 TG-DTA-MS,DSC 熱分析 EMS エミッション顕微鏡法 『加工法・処理法』...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価 製品画像

    【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

    製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

    す。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法:SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野:パワーデバイス 分析目的:微量濃度測定・形状評価・膜厚評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価

    pn判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能

    市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。...

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  • 【分析事例】結晶Si太陽電池のキャリア分布評価 製品画像

    【分析事例】結晶Si太陽電池のキャリア分布評価

    表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価

    BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。...

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  • PV(太陽電池)各種評価事例集 製品画像

    PV(太陽電池)各種評価事例集

    太陽電池(PV)の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

    下での前処理および深さ方向分析が可能 →測定法:TOF-SIMS・雰囲気制御下での処理 ○結晶Si太陽電池の拡散層評価 →ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価 →測定法:SIMS・SCM・研磨・解体 ○CIGS薄膜の組成分布分析 →薄膜の組成定量、面内分布、深さ方向分布の評価が可能 →測定法:SIMS・ICP-MS・XRF・エッチング ○CIGS薄膜太陽電池へテロ接合界面...

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  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析 製品画像

    【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

    SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

    SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価 製品画像

    【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

    SCMによる特定箇所の拡散層評価

    市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はで...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価 製品画像

    【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

    活性層の形状とドーパントを評価

    紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素(N,Al,P)の深さ濃度分布を評価しました。 測定法:SIMS・SCM・TEM 製品分野:パワーデバイス...

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  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析 製品画像

    【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

    SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)

    SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あら...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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