アルミ溶解炉『アルキープ・アルイッシュ・バーチカルアルキープ』

PR高機能・高品質のアルミ溶解炉。当社のベストセラーモデル"アル…

お客様の運用面・ニーズにお応えできる、多様性を備えたアルミ溶解炉の ベストセラーモデル"アルキープ3姉妹"のご紹介！ アルキープの最大の特長である独自設計の「溶湯プール部」を備え、 溶解室で溶湯を昇温し、溶湯は常にクリーンな状態を維持できます。 【アルキープ3姉妹】 ■アルキープ 　当社独自設計の「溶湯プール部」を備えた元祖モデル。 　溶解室の形状変更により、さらに耐久性・省...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＴＯＫＡＩ

★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

SiCパワーモジュールに一体取付可能！システムの小型化に貢献するSiC…

『SDM1210/1810/SDM3010』は、フォトカプラ絶縁方式の SiC-MOSFETゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化。 ROHM製 SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの 小型化に貢献します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて…

料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバー...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

総合カタログ『絶縁デバイス』

アイソレーションアンプ・ゲートドライバーなどを多数ご紹介

SA205SF/ISA205DF 　・高機能アイソレーションアンプ　ISA218-RI 　・高性能アイソレーションアンプ　ISA219/ISA223　他 ■ゲートドライバー 　・120A SiCパワーモジュール用ドライバー　GDUSC12 　・大容量高速ゲートドライバー　GDU40 　・IGBT一体取付型ゲートドライバー　GDU51　他 ■DC-DCコンバータ 　・高耐圧DC-D...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-…

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用…

『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。 「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに 対応します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社