資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

『PTFEライナーフレキシブルホース』

PR優れた耐薬品性で医薬品や工業用など幅広い分野で活躍。豊富なシリーズから…

Aflexブランドの『PTFEライナーフレキシブルホース』は、 流体接触面を化学反応が少ないPTFE樹脂でライニングした製品です。 優れた耐薬品性を備え、高圧および最大260℃の高温に耐性を発揮。 滑らかな内面構造により、液体の流速を確保できます。 CIP/SIPに対応したシリーズもあり、高い衛生性が求められる分野でも活躍。 ホースに接着剤を使用しないため、剥離によるコンタミリス...

メーカー・取り扱い企業： Watson-Marlow（ワトソンマーロー）株式会社 東京本社、大阪支社

EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…

ィブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ

双方向のトポロジーに対応！より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…

CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージの...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチン...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

1200V MOSFETパワー モジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。ま...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

FS3L400R10W3S7F_B11

EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…

7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■12...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社