厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

メーカー・取り扱い企業： 共栄電資株式会社

半導体・センサパッケージング＆カメラモジュールの開発・製造

PR半導体・センサパッケージングや半導体モジュールの開発・試作、小中規模量…

当社では、半導体ベアチップ実装、マイクロ接合技術による小型実装モジュールの開発から、 小中規模の量産までワンストップでサポートします。 カメラの受託製造も承っています。 こんなことでお困りの方、お気軽にお問い合わせください！ 【モジュール開発・実装技術開発サービス】 ■実装基板の小型化をしたいが専門化がいない。 ■新たに実装工法を開発したい。 【試作サービス】 ■原理試作・エンジニアリングサ...

メーカー・取り扱い企業： マイクロモジュールテクノロジー株式会社

EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…

ィブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ

双方向のトポロジーに対応！より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…

CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージの...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチン...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

1200V MOSFETパワー モジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。ま...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

FS3L400R10W3S7F_B11

EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…

7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■12...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社