★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

メーカー・取り扱い企業： 共栄電資株式会社

ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』

アプリケーションソフトウェアの再利用が可能！市場投入までの時間を短縮

/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。 インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、 ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。 非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、 貴重な基板スペースを節約することができます。 【特長】 ■コアレスト...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…

ィブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

評価ボード『EVAL-1ED3251MC12H』

スイッチングデバイスにおける寄生ターンオンを回避！2段階のスルーレート…

ッチング方式の評価を行う事ができ、 スイッチの種類は自由に選択可能。 ゲートドライバーICを追加することで、高電圧側からロジック制御部へ 超高速の過電流フィードバック信号が送信できる為、SiC MOSFETの使用を 実現しています。 【特長】 ■ユニポーラまたはバイポーラの広い電源電圧範囲で動作 ■EiceDRIVER 2L-SRC小型シングルチャネル絶縁型ゲートドライバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。 本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを 迅速に実現するための基本構成を提供。 ソフトスイッチング トポロジーと...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ

双方向のトポロジーに対応！より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…

CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージの...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

プ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された 新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。 シリコンからシリコンカーパイドへのアップスケー ルが容易で、 インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチン...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

評価ボード『EVAL-1ED3890MX12M』

I2Cバスを使用し、パラメータ調整、状態監視、フォールトフィードバック…

『EVAL-1ED3890MX12M』は、ゲートドライバーICを2つ搭載したハーフブリッジ構成で、 Si MOSFETやIGBT、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動します。 スイッチの種類は自由に選択可能。ボードサイズは、電源スイッチを 取り付けていない状態で85×85×15mmです。 また、マイコンを搭...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

1200V MOSFETパワー モジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。ま...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

評価ボード『EVAL-PSIR2085』

対応するEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードとの併用でプ…

R2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER絶縁型ゲート ドライバ評価ボードに電源を供給するために開発された標準の電源ボードです。 MOSFET、IGBT、SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている様々な 評価ボードに対応。 産業用モータドライブをはじめ、業務用空調機器やEV充電、蓄電システム等の アプリケーションにお使いいただけます...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

アイソレートゲートドライバー評価ボードEVAL-PSIR2085

使いやすい電源ボード、2つの絶縁された電源！プラグ＆プレイで使用可能

085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER 絶縁型ゲートドライバ評価ボードに電源を供給するために 開発された標準の電源ボードです。 MOSFET,IGBT,SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている 様々なEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードに対応します。 【特長】 ■2つの絶縁された電源 ■ゲートドライバの一次側用電...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品で...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

車載用1200V CoolSiC MOSFET

温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に…

車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

アナログおよびデジタルドライバファミリー『EiceDRIVER』

X3 Compactファミリーに、VDE 0884-11に準拠した強化…

ミリーはシンク・ソース共に最大14A、また優れた伝搬遅延 マッチング（最大7ns）を備えています。 【特長】 ■VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ■IGBT（IGBT7含む）、SiC、Si MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクテ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

FS3L400R10W3S7F_B11

EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…

7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■12...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社