• TMD-PC10  単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー 製品画像

    TMD-PC10  単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

    PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

    TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トラストウェル 本社

  • CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用) 製品画像

    CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

    PR少量ウェーハに対応!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! ハ…

    【取扱商品】 *CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 *プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等) *SOIウェーハ:高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161 製品画像

    IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

    出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

    を超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。 【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり...

    メーカー・取り扱い企業: ブロードコム(アバゴ・テクノロジー株式会社)

  • ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』 製品画像

    ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

    出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機…

    』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。 高い同相ノイズ除去特性(100kV/μs)によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。 優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。 過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする...

    メーカー・取り扱い企業: ブロードコム(アバゴ・テクノロジー株式会社)

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