熱伝導放熱材料（TIM）

PR近年の電子デバイスの小型化、高集積化に伴う熱課題を解決するため、厚み方…

VB200は近年の電子デバイスの小型化、高集積化に伴う熱課題を解決するため、特殊エラストマーをベースに開発された熱伝導放熱材料（TIM）です。厚み方向（Z軸）に38W/m Kという優れた熱伝導率を有し、装着した電子部品の熱を効率良く伝熱します。加えて、特殊製法によって製造されるVB200は、液状の放熱材料の使用が想定される薄膜領域での製品提供が可能です。...・厚み方向（Z軸）への優れた熱伝導率　...

メーカー・取り扱い企業： ゼオン化成株式会社 高機能材料部

持続可能な竹のICカード　高耐久性、高セキュリティで多認証に対応

PR社員証や入館証など、物理カードがまだまだ必要な現場に。高いセキュリティ…

「Seos Bamboo カード」は、竹から作られた高セキュリティの物理アクセス制御カードです。 高度なセキュリティテクノロジーだけでなく、森林管理協議会（FSC）認証取得済の竹材を使用し、環境に対する組織や企業の取り組みにも貢献するICカードです。 物理的なアクセス制御を超え、セキュアな印刷、勤怠管理、キャッシュレス販売、ネットワークログインなどのアプリケーションに簡単に拡張できるよ...

メーカー・取り扱い企業： HID

FZウェーハ　FZシリコン製品　ガスドープドＦＺシリコン

汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…

0 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A. ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

FZウェーハ　FZシリコン製品　パワーデバイス用NTDシリコン

半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます

NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ...【特...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

パント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: 1% ＊Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm) ＊Min25枚より ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社