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PR高速かつ正確なガラス微細加工が可能。加工時の応力を抑えて、マイクロクラ…
『LPKF Vitrion M 5000 Gen2』は、独自に開発した「LIDEプロセス」を採用し、±5μm以下の高精度でガラス微細加工が可能なレーザーシステムです。 加工時の応力を最小限に抑え、チッピングやマイクロクラックの発生を防止。 アドバンストパッケージングで標準使用される150×150mmから 510×515mmまでの大型パネルに対応し、基板のサイズや 形状に合わせて柔軟に対...
メーカー・取り扱い企業: LPKF Laser&Electronics株式会社
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PRワンタッチ起動でプラズマ切断可能!枝管切断・母管穴切断など様々な切断仕…
当社では、パイプを装着後にタッチパネルで切断諸元パラメータを設定すると、 ワンタッチ起動でプラズマ切断が行える『CNCプラズマ自動切断機』を 提供しております。 手作業(型紙墨入れ+実切断時間)に比べ、1/60以下に作業を短縮。 さらに、仕上がりも綺麗です。 【切断技術】 ■枝管切断 ・直角切断 ・斜め切断 ・斜め平面切断 ■母管穴切断 ※詳しくはPDFをダ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エトロンシステム
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SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide
昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工(Wafering)と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社豊港 半導体材料事業部
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SiC、SiCウェーハ、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon …
SiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)は、ケイ素(シリコン、Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社豊港 半導体材料事業部
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シリコンインゴット、インゴット
製品説明 CZ法(チョクラルスキー法)と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。...直径mm:φ200-φ550 タイプ:P 結晶方位:<100>/<111> 純度 :...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社豊港 半導体材料事業部
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