油面に貼れるテープ【油を吸い取る特殊粘着剤を塗布！】

PR油を吸い取る特殊粘着剤を塗布した粘着テープ！強粘着設計・厚手のラミネー…

『油面に貼れるテープ』は、油を吸い取る特殊粘着剤を塗布した粘着テープ です。強粘着設計・厚手のラミネート加工により高強度な基材。剥離紙が ないことで、作業性の向上が見込めます。 工場等で油ミストなどが舞っている床面へのラインテープ・区画線として。 その他、油分が付着した箇所へテープ貼りをしたいところなど、 多用途でお使いいただけます。 【特長】 ■油面(鉱物油・植物油に対応)...

メーカー・取り扱い企業： リンレイテープ株式会社 事業開発本部

【無線式】大型車のホイールナットの締付けトルク管理システム

PR大型車のホイールナットの締付けトルクデータを一括管理。無線による自動記…

トルク管理システム『K-TMS』は、中・大型車のホイールナットの 締付けトルク管理の負担を大幅に軽減できるシステムです。 当社の「パワートルクセッター　PTS-800ESL-K」を使用し、 無線で連携して、締付けトルクデータを自動記録することができます。 【特長】 ■1本ごとにデータを送信。パソコンに顧客・車両情報を記録 ■PCで状況をリアルタイムで確認可能。過去の車両データも呼び出し可能 ■...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社空研 本社

【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】燃料電池等の窒素ドープカーボン材料窒素の置換位置評価

ケミカルシフトを利用して窒素の置換位置の同定や定量的な分離が可能です

燃料電池の電極触媒であるPtに替わる材料として、窒素（N）原子を導入したカーボン材料が注目を集めており、その触媒活性にはカーボン材料中に存在するNの置換位置が大きく関わっています。XPS分析では、Nの結合状態や置換位置の違いによりケミカルシフトが生じるN1sスペクトルの評価を行うことで、Nがどの位置のCと置換されたのかの同定や定量的な分離が可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にG...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

新型コロナウイルスPCR検査・抗体検査

感染を調べるPCR検査の他に、抗体価の測定が可能です

新型コロナウイルスPCR検査 感染者の唾液や鼻咽頭ぬぐい液などに含まれる新型コロナウイルスのRNAを、リアルタイムPCR法にて測定します。PCR法は感度が高いため、ウイルス量がごく微量の場合でも検出が可能です。 新型コロナウイルス抗体検査 血清中に含まれる新型コロナウイルス抗体をECLIA法（電気化学発光免疫測定法）にて測定します。感染によって産生されるN抗体と、ワクチン接種によって産生...

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ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことができます。.....

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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...

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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価し...

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【分析事例】リチウムイオン二次電池内ガスの評価

電池内ガス成分の定性・定量

リチウムイオン二次電池の電解液は、充放電の繰り返し等で分解しガス化することが知られています。 GC-TCDやGC/MSを使用することで、分解したガス成分を高感度に検出することができます。 GC-TCDでは8成分(H2, O2, N2, CO, CH4, CO2, C2H4, C2H6)の組成比、GC/MSでは様々な分解物などを定性分析可能です。ラミネート型だけでなく、コイン型、角型のセル、さら...

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【分析事例】SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

抵抗（Ω）を測定する ２. 標準試料の測定より校正曲線＊）を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う ＊)校正曲線は導電型(p型/n型)、および面方位によって異なります ３. 比抵抗とキャリア濃度の関係式＊）を用いてキャリア濃度(/cm3) を算出する...

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【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 S...

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【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百...

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【分析事例】高純度雰囲気下での前処理・測定

XPS：X線光電子分光法など

高純度不活性ガス雰囲気下で試料前処理、搬送、測定を行うことで表面酸化、水分吸着を抑えた評価が可能です。 ■適用例 ・半導体電極材料 　剥離面の評価等には二次汚染、酸化の影響を抑えて評価ができます。 ・有機EL材料 　開封から不活性ガス雰囲気下で作業を行うことで、材料の劣化を防ぎます。 ・Li等電池材料 　Li等N2雰囲気不可の場合はAr雰囲気で処理を行う等の対応も可能です。......

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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

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［SXES］軟X線発光分光法

SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法…

の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル（XAS）との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く（＜1atomic%）、微量成分であっても評価が可能...

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［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ・定量評価は不可...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性（p型/n型）の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...

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［XRD］X線回折法

XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。

・結晶性物質の同定が可能 ・結晶子サイズの評価 (数nm～100nm)が可能 ・結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温～1100℃までの加熱分析が可能 ・ビ...

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［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12～2E20 /cm3の広...

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固体分析　新サービス開始 （GDMS）

「多くの元素を感度よく測りたい!」というご要望にお応えします。 主成…

分析計(GDMS)による新サービスを5/15(月)より開始しました。 ・主成分からppbレベルの微量成分までの70元素以上の同時分析が可能 ・従来困難であったC,N,Oをppmレベルで検出 ・nm～数十µm以上の深さ方向分析が可能 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池電極界面および有機膜の分散状態評価

雰囲気の影響を最小限に抑えた総合的な評価解析が可能です

面の状態評価を評価しました。有機膜表面に存在するチタニアの組成、結合状態を確認できます。TOF-SIMS分析でバルク・へテロ構造有機薄膜太陽電池の有機膜中のP3HT (p型有機半導体)とPCBM (n型有機半導体)の分散状態を深さ方向で確認しました。...

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【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiN膜中の金属汚染評価

ICP-MSによる高感度分析

Siウエハ上のSiN膜（Si3N4）を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこで、Siウエハ上のSiN膜を溶解後、別途処理を施すことでSiマトリックスの影響なくSiN膜中不純物金属元素の分析を可能としました。市販品のSiN膜付きSiウエハを用いてICP-MSによる高感度分...

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【分析事例】SiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量（単位：atoms/cm2）を高い精度で評価が可能です（図1）。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値幅を算出(図3)することが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いず...

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【分析事例】有機EL素子の層構造評価

N2雰囲気下での切削加工で酸化劣化を防止

有機EL素子は大気中で劣化しやすいため、N2雰囲気下での加工が必要となります。有機EL素子について、切削加工をN2雰囲気中で行い、30分大気に放置したものと、大気に暴露しないものについてAlq3の測定結果を示します。大気に放置すると、Alq3に酸素がついたピークが強い傾向が見られます。N2雰囲気中では、Alq3の親イオンが強い傾向が見られます。 大気に暴露しないことで、より真の状態に近い結果が...

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【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における...

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【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl,N,Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しまし...

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【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデ...

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【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。...

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価し...

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【分析事例】有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価

雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です

p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変...

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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、...

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

目的に応じた分析条件で測定します

市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素に着目した条件で測定した場合の事例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】結晶Si太陽電池の拡散層評価

ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価

裏面電極型結晶Si太陽電池（バックコンタクト型Si太陽電池）において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

放射光を用いた軟X線発光分光（SXES）は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度（pDOS）を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1.バルクの情報が得られる 2.絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3.検出下限が低い（＜1atomic%）などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST