サファイア基板（Sapphire Wafer）

単結晶サファイアの結晶成長から切断、研削・研磨、PSS加工、GaNエピ…

同人産業では主にキロプロス（Kyropoulos）法のサファイア材料を提供しております。 弊社のサファイア基板は、国内工場で生産している他、海外の優良メーカーにて委託生産しております。...■　素材：単結晶サファイア ■　製法：キロプロス（Kyropoulos） ■　用途：GaNエピー基板、PSS基板、SOS基板、光学窓、時計窓、スマートフォンカバー、カメラ保護窓、スマートウォッチ窓、他 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社同人産業

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

ウエハ　開発サービス

ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも…

当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に 対応できるウエハを開発しております。 高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など 様々な用途にご利用頂けます。 ご要望の際はお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■低欠陥密度 ■表面平坦性 ■4inch以上の大面積化が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。...【その他取扱製...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パウデック

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

モスアイ加工技術の応用

微細加工技術を匠の技に深化！

当社では、名城大学上山研究室との共同研究契約に基づく、 モスアイ製造技術の向上とサンプル作製、及び各種半導体基板作製と 評価の実施を行っております。 ナノインプリント技術とドライエッチングにより、様々な材料・基板に 適用可能です。 【加工実績】 ■Sapphire ■SiC ■GaN ■InP ■AlGaInP　など ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。.....

メーカー・取り扱い企業： イー・アンド・イー・エボリューション株式会社 営業拠点

サファイアインゴット（Sapphire Ingot）

単結晶サファイアの結晶成長から切断、研削・研磨、特殊加工まで一貫して行…

弊社のサファイアインゴットは、中国の自社工場で生産している他、キロプロス製法を中心に協力工場からも調達しております。...■　素材：単結晶サファイア ■　製法：キロプロス（Kyropoulos） ■　原料：アルミナ99.996% ■　用途：基板用/LED基板、SOS基板、光学窓材、各種部品類 ■　直径：Φ1″、Φ1.5″、Φ2″、Φ2.5”、Φ3″、Φ4″、Φ4.5”、Φ6″、Φ8″、Φ1...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社同人産業

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社