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フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』
PR薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・故障解析用プロセス対応。多機能…
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、RIE/ICP-RIE、PECVD/ICP-CVDに対応し コンパクトながら高性能かつ多機能な半導体製造装置です。 成膜とエッチングプロセスを一台で実現し、様々なウエハサイズと形状に対応可能。 シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要です。 世界で広く採用されており、Plasma-Therm LLCの グ...
メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
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PR【超高圧ジェットでメタル&レジスト除去】ASAP専用ノズルで、枚葉によ…
【特長】 ■最大20MPaの超高圧ジェットを噴射 ■リフトオフ時のバリの除去 ■メタルの再付着なし! ■薄いウエーハでも割れる心配なし ■レジスト、ポリマー、 マスクの洗浄としても使用可能 ■薬液のリサイクルシステム (オプション) 超高圧ジェットリフトオフは熱やプラズマの影響で取れづらくなったレジストをきれいに除去可能! 昔はDIPプロセスで簡単に除去できていたものがだん...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エイ・エス・エイ・ピイ
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イオンビームミリング装置『scia Mill 150/200』
最大150又は200mmウエハ基板対応!エッチング角度及びステージ傾斜…
『scia Mill 150/200』は、マイクロウエーブECRソース(218mm径)の イオンビームミリング装置です。 プロセスは、イオンビームエッチング/ミリング(IBE/IBM)、 反応性イオンビームエッチング(RIBE)、ケミカルアシストイオンビーム エッチング(CAIBE)となっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談く...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ
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物理的・電気的なダメージを与えることなくパッケージの除去が可能!高選択…
独自の新規プラズマ技術MIP(Microwave Induced Plasmaマイクロ波誘導プラズマ)を有し、 O2(酸素)プラズマを用いてパッケージを除去。 また、一つの装置内でエッチング、洗浄、乾燥、一連のプロセスを 自動で行うことが可能です。 【特長】 ■マイクロ波誘導プラズマ ■O2プラズマ ■大気圧下プロセス ■全自動プロセス ※詳しくはPDF資料を...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ
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基板バイアス機構!当社のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置をご…
『scia Cube 300/450/750』は、300×300mm、450×450mm、 750×750mm基板対応のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置です。 プロセスは、マイクロウエーブPECVD、反応性イオンエッチング(RIE)と なっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■300×...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ
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メカニカルクランプ又は静電チャック対応!サブナノメーターエッチング機構
『scia Trim 200』は、高精度・高スループットによる 膜厚エッチング制御のイオンビームトリミング装置です。 最大200mmウエハ基板対応しており、歩留改善。 また、プロセスはイオンビームトリミング(IBT)となっております。 ご用命の際は、お気軽に...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ
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株式会社三條機械製作所