• オーダーメイド型スパッタリング成膜装置 製品画像

    オーダーメイド型スパッタリング成膜装置

    PR難しい材料、様々な基板形状、用途にも!非常に幅広い基板サイズに対応可能

    当社では、研究・試作から量産まで対応可能な「オーダーメイド型 スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 フレキシブルエレクトロニクス、光通信技術、薄膜太陽電池や バッテリー等の薄膜デバイスの研究開発から量産まで装飾や 表面保護のためのコーティングにも対応。 サンプルサイズ、成膜対象マテリアル、バッチプロセス等、お客様の 用途に応じて組み立てることが可能です。 ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • トリミングマシン『AD-CS600シリーズ』 製品画像

    トリミングマシン『AD-CS600シリーズ』

    PRフルカット・ハーフカット両方に対応した高精度トムソン(ビク)打抜き機

    トリミングマシン『AD-CS600シリーズ』は、ワンショット(1回抜き)と多段(順送打抜き)両用の耐久性に優れたハイパワーモデルです。 トムソン型・ピナクル型どちらも全機種対応。 幅広いサイズや厚みに対応できる製品をラインアップしております。 材料・型を持ち込んでいただき、デモ機で試し抜きをすることも可能です。 【特長】 ■タッチパネルで送り移動量・ドブを設定でき、パターン登録は...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社若宮エンジニアリング

  • フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』 製品画像

    フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』

    薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・故障解析用プロセス対応。多機能…

    『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、RIE/ICP-RIE、PECVD/ICP-CVDに対応し コンパクトながら高性能かつ多機能な半導体製造装置です。 成膜とエッチングプロセスを一台で実現し、様々なウエハサイズと形状に対応可能。 シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要です。 世界で広く採用されており、Plasma-Therm LLCの グ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • プラズマ除去装置『HDRF』 製品画像

    プラズマ除去装置『HDRF』

    フォトレジストや有機ポリマ残渣を低温で除去!当社のプラズマ除去装置をご…

    プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社で取り扱う、『HDRF』を ご紹介いたします。 MEMS、LED、先端パッケージングのデバイス製造段階で特に重要になる、 フォトレジストや有機ポリマ残渣を低温で除去しま...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • オーダーメイド型スパッタリング成膜装置 製品画像

    オーダーメイド型スパッタリング成膜装置

    難しい材料、様々な基板形状、用途にも!非常に幅広い基板サイズに対応可能

    当社では、研究・試作から量産まで対応可能な「オーダーメイド型 スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 フレキシブルエレクトロニクス、光通信技術、薄膜太陽電池や バッテリー等の薄膜デバイスの研究開発から量産まで装飾や 表面保護のためのコーティングにも対応。 サンプルサイズ、成膜対象マテリアル、バッチプロセス等、お客様の 用途に応じて組み立てることが可能です。 ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • プラズマダイシング装置『MDS-100/MDS-300』 製品画像

    プラズマダイシング装置『MDS-100/MDS-300』

    複数サイズのウェハに対応!誘導結合プラズマを使用したBosch法による…

    『MDS-100/MDS-300』は、誘導結合方式を用いることで、高出力プラズマによる 安定性、均一性に優れた25枚連続処理が可能なプラズマダイシング装置です。 高い均一性を保ちながら、ソーやレーザのようなウェハへのダメージを 発生させずに処理を行うことが可能。 高速ガス切り替えシステムを用いたBosch法によって、優れた側壁形状および 自由な形状での加工を実現し、既存の手法と比...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • プラズマ成膜装置『KOBUS F.A.S.T.(R)』 製品画像

    プラズマ成膜装置『KOBUS F.A.S.T.(R)』

    パルス機能を利用!ALDと同等薄膜を従来のCVDと同じ処理時間で生成す…

    『KOBUS F.A.S.T.(R)』は、産業向けALDレベル膜質のプラズマ成膜装置です。 パルス機能を利用することで、ALD(Atomic LayerDeposition:原子層堆積)と 同等薄膜を従来のCVDと同じ処理時間で生成する事が可能。 プロセス温度は80℃~500℃でウエハサイズは150mm、200mm、成膜速度は 0.1nm/min~500nm/minとなっております...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 不良解析エッチング装置『200FA/200R/200I』 製品画像

    不良解析エッチング装置『200FA/200R/200I』

    剥離処理により、不要箇所を除去!当社で取り扱う不良解析エッチング装置を…

    『200FA/200R/200I』は、半導体チップ及びウエハの不良解析装置です。 剥離処理により、不要箇所を除去し、不良原因箇所の解析をする事が 出来ます。 【特長】 ■選べる剥離技術(RIE、HCD、ICPRIE) ■サンプル形状柔軟性(ダイ、パッケージダイ、ウェーハフラグメント、  フルウェーハ) ■搬送の柔軟性(ダイレクトロード、プリロードシャトル、  ロードロック付...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 卓上タイプエッチング・成膜装置『Plasma POD シリーズ』 製品画像

    卓上タイプエッチング・成膜装置『Plasma POD シリーズ』

    教育機関や小規模施設などに!タッチパネルで簡単操作が可能な卓上型システ…

    『Plasma POD シリーズ』は、小型でコンパクトな 卓上タイプエッチング・成膜装置です。 設置スペースに限りがあり、低コストでエッチング・成膜装置の 導入をご検討されている方にお勧め。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■装置最大サイズ 80cmx80cmx80cm(高さ) ■タッチパネルで簡単操作 ※英語版カタログをダウンロードいただけま...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置 製品画像

    半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置

    ICの絶縁層を除去!フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム

    当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 光化合物半導体 プラズマ加工装置 製品画像

    光化合物半導体 プラズマ加工装置

    長年の経験と蓄積された加工ノウハウ!化合物半導体加工向けに1300台以…

    「プラズマ加工装置」は、光化合物半導体のプラズマ・エッチング・ 成膜装置です。 研究・開発から量産とシーンに適したシステムの提供が可能。 また、光電子デバイス製造に必要な幅広い材料を扱うように設計されています。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【用   途】 VCSEL、LED、μLED、Micro Lens、Wave Guide 【エッチング】 サファイア、...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • イオンビームエッチング・成膜装置『QuaZar(TM)』 製品画像

    イオンビームエッチング・成膜装置『QuaZar(TM)』

    高いスループットを実現!大面積イオンソースと高度なモーションコントロー…

    当社のイオンビームエッチング・成膜装置『QuaZar(TM)』を ご紹介いたします。 大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 高いスループットを実現。 特にMarathon(TM)グリッドは、従来の方式に比べ、長期に渡り 良好な均一性を得ることが出来ます。 【仕様】 ■イオンビームシステム ■プロセス温度:-40℃~+60℃ ■傾斜角:+90度~-8...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • プラズマベースの原子層エッチング装置『Takachi ALE』 製品画像

    プラズマベースの原子層エッチング装置『Takachi ALE』

    表面の単原子層のエッチング!エッチング対象物へのダメージを抑える事が出…

    当社が取り扱うプラズマベースの原子層エッチング装置 『Takachi ALE』をご紹介します。 Takachiシステムは、ALEキットを搭載することにより、 ALEプロセスが可能です。 表面の単原子層毎にエッチングしていく為、エッチング対象物への ダメージを抑える事が出来ます。 【特長】 ■ALEキットを搭載、ALEプロセスが可能 ■表面の単原子層毎にエッチング ■エ...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』 製品画像

    各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

    “サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール!4-8インチウェ…

    『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • イオンビーム エッチング・成膜装置『QuaZar』 製品画像

    イオンビーム エッチング・成膜装置『QuaZar』

    総保有コストを減少させる事が可能!最高クラスの均一性とスループットを実…

    『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 難しいエッチングプロセスや薄膜形成アプリケーションにおいて、 プロセス結果を実現できるエッチング・成膜装置です。 当製品のMarathon grids技術は、重要な要素となっており、現在お使いの 既存のシステムに設置する事も可能。 世界の多くのお客様が、grid技術で既存装置の性能を向上させ、寿命を ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 成膜 ⇔ エッチング装置『210D』 製品画像

    成膜 ⇔ エッチング装置『210D』

    簡単なハードウエハ交換で、CVD及びRIEとして使用可。ご要望に応じて…

    『210D』は、エッチング及び成膜を必要とする様々な製品の開発に お使いいただける、誘導結合プラズマによる成膜装置です。 十数分の時間でハードウエアを交換し、誘導結合プラズマエッチング装置 として使用する事が可能。 現場でのハードウエアの交換で、CVD及びRIEとして使用できる為、 導入コストを抑える事が出来ます。 【特長】 ■簡単なハードウエハ交換で、CVD及びRIEと...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • プラズマ技術~バイオ・医療への応用 製品画像

    プラズマ技術~バイオ・医療への応用

    a-SiC:H(堅牢膜)等のパッシベーション膜形成が可能!高密度プラズ…

    当社で取り扱う『Corial D250L/Kayen HDRF』により、 プラズマ技術のバイオ・医療への応用が可能です。 人体埋め込み型センサーや医療機器のパッシベーション膜を形成。 複雑な形状のインプラント用セラミック、金属物の 表面除染も対応可能です。 【パッシベーション膜の特長】 ■現在、業界で注目されている、以下4種の膜形成が可能  ・a-SiC:H(堅牢膜) ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 成膜装置『Corial 200 Series』 製品画像

    成膜装置『Corial 200 Series』

    用途に応じてコンフィギュレーションする事ができるプラズマエッチング・成…

    当社の『Corial 200 Series』をご紹介いたします。 共通プラットフォームを用い、用途に応じてRIE,ICP,ICP+RIE, ICP-CVD又は、PECVDとしてコンフィギュレーションする事ができる 研究開発向け装置。 ウエハサイズは50mm,100mm,150mm,200mmです。 【特長】 ■共通プラットフォームを用いる ■RIE,ICP,ICP+RIE...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • クライオ・プラズマ・エッチング Takachi ICP Cryo 製品画像

    クライオ・プラズマ・エッチング Takachi ICP Cryo

    当社で取り扱う、極低温環境でのエッチング装置をご紹介いたします

    当社で取り扱う、『Takachi ICP Cryo』をご紹介いたします。 より異方性、高選択性が必要とされるエッチング工程で使用されます。 【特長】 ■温度範囲:-150℃~+350℃ ■ウエハサイズ:2"~8" ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...※英語版カタログをダウンロードいただけます。...

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