ドライポンプ（ドライ真空ポンプ）　SST/SSXシリーズ

PR独自設計のスクリューロータによりハードプロセスをこなす、万能ドライポン…

◆独自設計のスクリューロータにより、従来ドライポンプでは不向きとされていた凝固性ガス・粉体・生成物・液体などの吸引を含むハードプロセスにおいても安定した運転を実現します。 ●ZEROEDGEスクリュー 排出効率に優れ、堅牢性を重視した構造設計により、ハードプロセスにおいても安定した運転を可能にします。 ●メンテナンス性の追求【省コスト】 設置場所にて、容易に洗浄作業や分解作業ができ...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

Enovasense Field Sensor

PR高速な不透明膜の厚みマッピング、内部欠陥のエリア検出が可能なレーザーフ…

フランスのEnovasense社のセンサは、レーザフォトサーマル技術を使用した 高性能なセンサで、非接触で不透明体の厚みを測定できます。 本新製品は、従来のシングルポイントセンサと異なり、約１１万点を同時に測定できるエリアセンサです。 不透明体の厚みマッピングだけでなく、表面層下の欠陥、欠け、剥がれの有無を検知できます。 ■特長 　・非接触で下記が測定できます。 　　　☆不透明体の厚みマッピング...

メーカー・取り扱い企業： プレシテック・ジャパン株式会社

レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　ValleyView Atom Z3740 Soc

Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…

【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス：最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分：NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

m ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストー...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。

MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づ...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）