ドライポンプ（ドライ真空ポンプ）　SST/SSXシリーズ

PR独自設計のスクリューロータによりハードプロセスをこなす、万能ドライポン…

◆独自設計のスクリューロータにより、従来ドライポンプでは不向きとされていた凝固性ガス・粉体・生成物・液体などの吸引を含むハードプロセスにおいても安定した運転を実現します。 ●ZEROEDGEスクリュー 排出効率に優れ、堅牢性を重視した構造設計により、ハードプロセスにおいても安定した運転を可能にします。 ●メンテナンス性の追求【省コスト】 設置場所にて、容易に洗浄作業や分解作業ができ...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

特許取得Pef　Prism疑似立体印刷

PRRef　Prism

2次元印刷に新たな表現方法 デザインの曲線部を強調！ 曲線のエッジが光る効果を表現 レンズフィルムの種類によって曲線部に多種多様な表現が可能！ 白印刷部の濃淡で光る効果の強弱調整により更に表現の幅広さを持たせる効果も 加工材料 ・テープ類 一般用、強粘着、遮光、防水、導電性　他 合成樹脂類 ポリ塩化ビニール（PVC）、ポリエチレン（PE)、ポリプロピレン（PP)、ポリエチレンテレフタレート（...

メーカー・取り扱い企業： 智昌加工株式会社

ボンディング性評価のためのシリコンエッチング技術

ワイヤーボンディング部の接合面を平面から観察！数値による評価が可能とな…

価できます。 一般的な断面観察では、金属間化合物の生成状態をある1点でしか確認できず、 評価の裏付けとしては弱さの残るものでした。 クオルテックでは、ボンディングされた箇所の裏面からシリコンをエッチング する事で、金属間化合物の生成状態を、より明確に観察する技術を開発。 金属間化合物の面積を算出し、数値による評価が可能となりました。 【特長】 ■ワイヤーボンディング部の接...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック

【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。 本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した事例を以下に示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量

赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量

シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。 算出方法は、電子情報技術産業協会（JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association）により規格されています。 格...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。本稿では、XAFS を用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析試料および実験手法 ３．シリコン中のヒ素のXAFS評価 ４．シリコン中のリンのXAFS評価 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

左右する重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、安定的にシラノール基を定量する手法を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．原理 ３．シリカ粒子の反応性シラノール基の定量 ４．シリコンウエハの表面シラノール基の定量 ５．シラノール基量の加熱による変化 ６．まとめ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造（シリコン酸化膜／シリコン窒化膜/シリコン酸化膜）が確認できます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出す...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料DL可：FIB】FIB装置によるSi基板へのパターン描画

FIB装置でシリコン基板上に高精度のパターン形成を行えます。マスクレス…

工を行う材質、加工条件により最小サイズは変わります） ・ マスクレスでイオン注入を行うことが可能です。 ・ デポジションによるパターン描画も可能です。 この事例では FIB装置で実際にシリコン基板上へパターンをどのように描画するか を紹介しています。 尚、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。 具体的には以下のとおりです。 ・...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

［AFM］原子間力顕微鏡法

ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

■使用する探針 シリコン単結晶ウエハを加工して作られた鋭い探針で試料表面を走査します。先端径は10nm未満にまで加工されています。 ■タッピングモード タッピングモードは、探針を約300kHzの高周波で強制振動さ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラフィンオイルと推定される成分が確認されました。T...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EBSDによる圧粉磁心の評価

EBSDを用いることによって軟磁性金属粉末の圧粉磁心の磁気特性劣化の原…

調査方法 (1) 軟磁性粉：Fe-Si粉末、平均粒径D50=27.2μm (2) 試験片作製方法：粉末にシリコン樹脂コーティング⇒圧縮成形 (3) 焼鈍条件：500, 700, 750℃ (4) 評価方法：保磁力測定(直流BHアナライザ) 　　　　　　　EBSD分析(結晶方位(IPF), 塑性...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン（SiN）膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法：XAFS・XPS 製品分野：太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：電子状態評価 詳しくは資料をダウンロー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST