• 小ロット・支給品への特殊印刷請負サービス【印刷事例集配布中】 製品画像

    小ロット・支給品への特殊印刷請負サービス【印刷事例集配布中】

    PR印刷の知識をお持ちでなくても問題ございません! 支給品・小ロットを得…

    当社では特殊印刷資材メーカーとしての経験と社外ネットワークを基盤とし、 プラスチック成型品、金属加工品、ガラス製品等に対しての特殊印刷サービスを提供しております。 シリコン等の特殊素材のご相談も大歓迎です。 ...■対応可能素材 ・プラスチック ・シリコン ・金属 ・ガラス ・木材 ・テキスタイル ■対応加工方法 ・シルクスクリーン印刷 ・パッド印刷 ・ホット...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社特殊阿部製版所

  • 1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機 製品画像

    1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機

    PRシングルチャンバーで各種洗浄からスピン乾燥まで完結。省スペース設計で研…

    『1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機』は、 高圧スプレーや超音波スプレー、薬液等の非接触洗浄、 ブラシ等の接触洗浄など、様々な組み合わせが可能な洗浄機です。 1つのチャンバーで洗浄からスピン乾燥まで完結し、 省スペース設計のため、設置スペースとコストの削減に貢献します。 各種装置構成、薬液構成、目的とする洗浄性能やご予算など、 ニーズに応じて最適な装置構成をご提案可能です...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ゼビオス(XEVIOS CORP.,)

  • ボンディング性評価のためのシリコンエッチング技術 製品画像

    ボンディング性評価のためのシリコンエッチング技術

    ワイヤーボンディング部の接合面を平面から観察!数値による評価が可能とな…

    価できます。 一般的な断面観察では、金属間化合物の生成状態をある1点でしか確認できず、 評価の裏付けとしては弱さの残るものでした。 クオルテックでは、ボンディングされた箇所の裏面からシリコンをエッチング する事で、金属間化合物の生成状態を、より明確に観察する技術を開発。 金属間化合物の面積を算出し、数値による評価が可能となりました。 【特長】 ■ワイヤーボンディング部の接...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社クオルテック

  • 【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価 製品画像

    【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

    シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

    シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。 本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング 製品画像

    【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

    太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

    (PL)と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した事例を以下に示します。...

    • PL強度マッピング像2.png
    • 多結晶太陽電池セル片の実態顕微鏡写真.png
    • PLスペクトル.png

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量 製品画像

    【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量

    赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量

    シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。 算出方法は、電子情報技術産業協会(JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association)により規格されています。 格...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価 製品画像

    技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

    エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

    偏光状態の変化を測定し、光学定数(屈折率・消衰係数)や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 1. はじめに 2. エリプソメトリーについて 3. PVA膜スピンコート直後の経時変化 4. シリコン絶縁膜の傾斜エッチ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価 製品画像

    技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。本稿では、XAFS を用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.分析試料および実験手法 3.シリコン中のヒ素のXAFS評価 4.シリコン中のリンのXAFS評価 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量 製品画像

    技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    左右する重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、安定的にシラノール基を定量する手法を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.原理 3.シリカ粒子の反応性シラノール基の定量 4.シリコンウエハの表面シラノール基の定量 5.シラノール基量の加熱による変化 6.まとめ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察 製品画像

    【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

    FIB法による特定箇所の平面TEM観察

    ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜)が確認できます。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価 製品画像

    【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

    光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

    シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です(式1)。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出す...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [SSRM]走査型広がり抵抗顕微鏡法 製品画像

    [SSRM]走査型広がり抵抗顕微鏡法

    ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

    SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【資料DL可:FIB】FIB装置によるSi基板へのパターン描画 製品画像

    【資料DL可:FIB】FIB装置によるSi基板へのパターン描画

    FIB装置でシリコン基板上に高精度のパターン形成を行えます。マスクレス…

    工を行う材質、加工条件により最小サイズは変わります) ・ マスクレスでイオン注入を行うことが可能です。 ・ デポジションによるパターン描画も可能です。 この事例では FIB装置で実際にシリコン基板上へパターンをどのように描画するか を紹介しています。 尚、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。 具体的には以下のとおりです。 ・...

    メーカー・取り扱い企業: セイコーフューチャークリエーション株式会社

  • [AFM]原子間力顕微鏡法 製品画像

    [AFM]原子間力顕微鏡法

    ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

    ■使用する探針 シリコン単結晶ウエハを加工して作られた鋭い探針で試料表面を走査します。先端径は10nm未満にまで加工されています。 ■タッピングモード タッピングモードは、探針を約300kHzの高周波で強制振動さ...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】撥水箇所の成分分析 製品画像

    【分析事例】撥水箇所の成分分析

    TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

    密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラフィンオイルと推定される成分が確認されました。T...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • EBSDによる圧粉磁心の評価 製品画像

    EBSDによる圧粉磁心の評価

    EBSDを用いることによって軟磁性金属粉末の圧粉磁心の磁気特性劣化の原…

    調査方法 (1) 軟磁性粉:Fe-Si粉末、平均粒径D50=27.2μm (2) 試験片作製方法:粉末にシリコン樹脂コーティング⇒圧縮成形 (3) 焼鈍条件:500, 700, 750℃ (4) 評価方法:保磁力測定(直流BHアナライザ)        EBSD分析(結晶方位(IPF), 塑性...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社大同分析リサーチ

  • 【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価 製品画像

    【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

    XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

    回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン(SiN)膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法:XAFS・XPS 製品分野:太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的:電子状態評価 詳しくは資料をダウンロー...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価 製品画像

    【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

    対象元素に応じて測定条件を選択

    フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価 製品画像

    【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価

    複数手法の分析結果より、複合的に評価

    析・評価することで発生原因を究明し、不具合を改善することができます。本資料では、Siウエハ表面に付着した汚染をICP-MSとSWA-GC/MS※で複合的に分析した事例をご紹介します。 ※SWA(シリコンウエハアナライザー)-GC/MSとは、ウエハごと電気炉で加熱して有機物をガス化し、GC/MSで測定する手法です。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】低分子シロキサンの定量分析 製品画像

    【分析事例】低分子シロキサンの定量分析

    アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します

    す。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要です。 本資料では、シリコンチューブを200℃で加熱した際の環状ジメチルシロキサンの発生量を調査した事例を紹介します。。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査 製品画像

    【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

    超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

    パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】XPS多点測定による広域定量マッピング 製品画像

    【分析事例】XPS多点測定による広域定量マッピング

    最大70×70mm領域の組成分布評価

    XPS多点測定による広域定量マッピングの事例をご紹介します。 シリコンウエハ上の有機物残渣について、以下の手順で評価いたしました。ピーク強度ではなく存在量(原子濃度)をグラフ化するため、試料凹凸等の影響を受けにくく、且つ広域でのデータ取得が可能です。 試料表面付着...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置 製品画像

    技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    の装置外観写真 表1 NanoSIMS 50Lの特徴 図2 毛髪の断面構造 図3 NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ(S)のイメージング 図4 SiC中のアルミニウム(Al)、シリコン(Si)、リン(P)の三次元イメージング 図5 SiCデバイスのリン(P)、酸素(O)の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 【DL可STEM/EDS】STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価 製品画像

    【DL可STEM/EDS】STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

    STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜…

    STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型X線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報(原子番号を反映したコントラスト像)が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥(転位、双晶等)の情報の獲得 本事例では...

    メーカー・取り扱い企業: セイコーフューチャークリエーション株式会社

  • 【分析事例】有機・無機ケイ素材料の評価サービス 製品画像

    【分析事例】有機・無機ケイ素材料の評価サービス

    材料特性に合わせた試料調整技術および測定・解析技術を駆使し、有機・無機…

    ケイ素材料はシロキサン・シリコーンのような有機ケイ素材料、 シリカ・シリコンのような無機ケイ素材料からなり、 その化学構造により様々な特性を有し、 工業材料として原料から製品まで幅広い分野で活用されています。 一方で、その多様性から広い範囲での評価が必要です。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社カネカテクノリサーチ 本社、東京営業所、名古屋営業所、大阪分析センター、高砂分析センター

  • 【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価 製品画像

    【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

    TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

    TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、(1)深さ方向分解能が良い、(2)酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、(3)微量な状態の評価が可能、(4)OHのモニターが可能、(5)相対的なサンプル間の比較(膜厚・組成)が可能、(6)イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまと...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価 製品画像

    【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

    光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

    シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります(式1)。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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