シリコンラバーヒーター【医療用機器活用事例】メディカルメッセ出展

PR電力の入れ具合で昇温スピードも設計可能！面でしっかりと確実に熱を伝えま…

医療用機器に『シリコンラバーヒーター』を導入した事例をご紹介します。 「安定した熱でフィルムなどを加熱したい」「場所により出力を変えたい」 「じっくりと安全に温めたい物がある」などが、従来の問題点でした。 当製品は、ラバーヒーターと金属の組み合わせで、低温から高温まで面分布の 良い加熱面を実現。また、ヒーター内部での回路分けや、1回路でも部分的に 出力の強弱をつける設計が可能です。 【導入後...

メーカー・取り扱い企業： オーエムヒーター株式会社

【破砕機・粉砕機】ロールブレーカー　ダブルロールクラッシャー

PR1,000台の納入実績！砕くのが難しい材料でも簡単粉砕！※破砕テスト実…

ロールブレーカーは、2つのロールで破砕するダブルロール式の破砕機・粉砕機です。金属シリコン、セラミック、合金、スラグ、焼成品、石炭、コークス、コンクリート廃材など硬質原料の二次から三次破砕に広く使用され、構造が簡単で能率が極めて良いことから、1,000台を超える国内随一の納入実績を誇っています。 ★粉砕テスト実施中！ 破砕機の選定は、被処理物や処理能力、使用条件などによって、机上における選定は難...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社前川工業所

Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。 使...

メーカー・取り扱い企業： リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン株式会社

SWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）

パッケージの種類も豊富！1,020 – 1,720nmまでのエミッタ(…

なInGaAs PD、受発光一体型 デバイスも取り扱っております。 【特長】 ■動作電流は20mA～350mAをラインアップ ■3,000nmを超えるものが必要な場合、カスタムでの対応も可能 ■シリコンウェハの検査など半導体の分野においても需要が高まっている ■製品検査、セキュリティ、医療・ヘルスケアなど様々な用途で使用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズのリリースです。 シリコンリミットの特性限界を超えた、スーパージャンクション構造。 新素材のパワー半導体が世に出てきている中、弊社は既存素材のシリコンでもPNピッチを下げることで、まだまだ”特性を進化させることができる‼...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズです。 シリコンリミットの特性限界を超えた、スーパージャンクション構造。 新素材のパワー半導体が世に出てきている中、弊社は既存素材のシリコンでもPNピッチを下げることで、まだまだ”特性を進化させることができる‼...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　 フルパックで0.1ohm…

GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズです。 シリコンリミットの特性限界を超えた、スーパージャンクション構造。 新素材のパワー半導体が世に出てきている中、弊社は既存素材のシリコンでもPNピッチを下げることで、まだまだ”特性を進化させることができる‼...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズです。 シリコンリミットの特性限界を超えた、スーパージャンクション構造。 新素材のパワー半導体が世に出てきている中、弊社は既存素材のシリコンでもPNピッチを下げることで、まだまだ”特性を進化させることができる‼...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

Luguang Electronic

LGEは、2002年9月に設立されたディスクリート半導体の設計・製造・…

9月に設立され、ディスクリート半導体の設計、製造、販売を行うハイテク企業です。17年以上のエンジニアリングと製造の経験を持つLGEは、TVSダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、シリコン整流器、ファストリカバリー整流器など、100カ国以上に輸出され、自動車エレクトロニクス、消費財、インテリジェント製造、セキュリティ、産業などの分野で広く使用されている製品を提供しています。...

メーカー・取り扱い企業： リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

高周波トランジスタ

高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！

弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。   fTが1.1GHz、4...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver

スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーショ…

『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

CNT(カーボンナノチューブ）

カーボンナノチューブは、エネルギー、エレクトロニクス、ナノテクノロジー…

p2混成軌道の炭素原子で構成され、化学的、熱的に極めて安定 粒子表面は疎水性 真密度は1.3～1.4g/cm3で通常の樹脂並み 電気的 電流密度は1GA/cm2で銅の100倍 電子移動度はシリコンの70倍 SWNTは金属と半導体の混合物、MWNTは金属導電性 電子放出特性に優れる 機械的 引張り強度は50～70GPaで鋼の100倍 引張り弾性率は2000～5000GPa 柔軟で弾...

メーカー・取り扱い企業： 増岡窯業原料株式会社 本社　営業部