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熱応答性・柔軟性に優れた薄型発熱体『シリコンラバーヒーター』
PR【1枚から製作可能】柔軟性があるので軽量化、小型化が実現!さまざまな形…
オーエムヒーターが取り扱う標準タイプの「シリコンラバーヒーター」を ご紹介します。 丸型、三角、台形、穴あきなど複雑な形状も、手ごろな価格で1枚から 製作でき短納期にも対応。 ヒーター厚はわずか1.5mmなので熱応答性に大変優れています。 今までの金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄形の面状発熱体です。 【特長】 ■複雑な形状も、手ごろな価格で1枚から製作でき短納期にも対応...
メーカー・取り扱い企業: オーエムヒーター株式会社
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小ロット・支給品への特殊印刷請負サービス【印刷事例集配布中】
PR印刷の知識をお持ちでなくても問題ございません! 支給品・小ロットを得…
当社では特殊印刷資材メーカーとしての経験と社外ネットワークを基盤とし、 プラスチック成型品、金属加工品、ガラス製品等に対しての特殊印刷サービスを提供しております。 シリコン等の特殊素材のご相談も大歓迎です。 ...■対応可能素材 ・プラスチック ・シリコン ・金属 ・ガラス ・木材 ・テキスタイル ■対応加工方法 ・シルクスクリーン印刷 ・パッド印刷 ・ホット...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社特殊阿部製版所
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Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです
ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e:メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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レポート ValleyView Atom Z3740 Soc
Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…
【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス:最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分:NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート
m ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストー...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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キーとなる革新的なプロセス技術の研究・製造コストの最適化・歩留まりの改…
スタッフとして抱え、140年以上にわたって蓄積されたデバイス構造解析の集合的専門知識をご提供します。 デバイスにはCMOS、バイポーラ、BiCMOS、GaAs、SiGe、銅、低誘電体、SOI、歪シリコン、MEMS、TFTが含まれますが、これらに限定されるものではありません。 TechInsightsの専門的技術によって収集されたデータを使用し、お客様の製品または競合製品の構造、材料組成、限界寸...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。
MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づ...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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