無黄変型ウレタン微粒子 「ダイミックビーズ」

PR柔軟性に優れた架橋ウレタン微粒子です。硬質樹脂の応力緩和に貢献します。

ダイミックビーズは懸濁重合反応によって合成するウレタン微粒子です。真球状でマイクロメートルオーダーの粒子径であり、組成や硬さ、粒子径の調整が可能です。 【特長】 ・ウレタンの高い柔軟性と復元性 ・シャープな粒度分布 ・硬質樹脂の応力緩和、低反り、加工時の割れ防止 ・各種有機溶剤に対する優れた分散性 ・架橋微粒子のため、高い耐熱性や湿熱信頼性 ・光拡散性 ・艶消し性...【製品ラインナップ】 粒径...

メーカー・取り扱い企業： 大日精化工業株式会社

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

事例　製品環境でのパッケージ　熱抵抗測定技術

半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか？熱シミュレーション技術とコラ…

測定用素子として良く利用されるダイオード（PN接合）の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となり...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価

複合解析で活性化率に関する評価が可能

は未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。 Profile Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。 一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部（図1）および裏面について、SIMSとSRAを行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス