【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップ精工

電動バランサ『ムーンリフタ』＜導入事例付きカタログ進呈＞

PR重量物の搬送・精密位置決めをサポート。手作業と同じ流れでワークを移動で…

『ムーンリフタ』は、重いワークでも“手先の感覚”を活かしたハンドリングで、 安全な作業とスムーズな位置合わせを実現する電動バランサです。 両手でワークを持ち、軽い力で動かすことができるため、 はめ込み中の引っかかり等、微妙な感触まで感じながら作業可能。 接地するまでゆっくり降下したり、手をはなすと直ぐに止まるなど機能も充実。 精密な位置決めが必要な組み付けや、ガラス等の繊細なワークの搬送に好適...

メーカー・取り扱い企業： ユニパルス株式会社

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

いますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧い...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ICの不良解析

不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から…

【発光解析/OBIRCH解析　特長】 ■発光/OBIRCH解析によりリーク箇所、あるいは関係しているネットを特定 ■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能 ■カスタマイズされた装置により、様々なサンプルの解析に対応できる ※詳しくはPDF資料をご...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

コンビナトリアル特性解析

電気的特性評価をはじめ、光学特性評価、結晶性評価、組成評価を実施！

3、Al2O3の正三角形の 3元コンビナトリアル組成傾斜試料にPt電極を形成してC-V、I-Vの 電気的特性を行い、高誘電率層の評価をしたものです。 上から、誘電率、フラットバンド電位、リーク電流の組成マッピングを 示しており、1試料中の246組成が同時評価できます。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【サービス内容】 ■C-V、I-V、半導体特性などなどの...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社コメット

短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス