• パワーデバイス(SiC)をチップ化 製品画像

    パワーデバイス(SiC)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化 製品画像

    高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 『SEMICON JAPAN出展』のご案内 製品画像

    『SEMICON JAPAN出展』のご案内

    2023年12月13日(水)~15日(金)に東京ビッグサイト(東展示棟…

    当日展示会場では、半導体ウエハ-のチップ化工程をコンパクトなボディに集約した単体機「DIALOGIC DS Series」のデモンストレーションを実施予定です。また、SiCウエハー最先端半導体デバイスのチップ化工程の加工技術もご紹介いたします。...● 概要 ● 【会期】2023年12月13日(水)~ 15日(金) 【時間】10:00~17:00 【会場】東京ビッグサイト(東展示棟) 【ブ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法 製品画像

    カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法

    水を使わないスクライブ&ブレイク工法!ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

    三星ダイヤモンド工業の「スクライブ&ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工(個片化)する技術です。  独自の技術である「スクライブ&ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

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