旋削加工に代わる「拡管加工」真円の精度を極限まで高めることに成功

PR加工後に発生する、内径の歪みを抑えて真円の精度にこだわった拡管加工とは…

CNC旋盤を使用して旋削加工していると様々な問題が発生します。 長いフレームの旋削は、フレームの共振と不安定な固定により、内径、垂直度や平行度に影響を及ぼします。 イングスの拡管加工では、アルミ押し出し材の表面を保持しますので、表面粗さも満足いただけます。また、拡管加工で内径を加工する場合、製造コストを抑えることもできます。 【拡管加工使用例】 ■ACモーターフレーム ■DCモー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イングス

【ドライアイス】角ドライアイス・ビーズドライアイス・ペレット

PR多種多様に利用可能！高い冷却能力により蓄冷剤よりも低温冷却が可能。長時…

当社では、炭酸ガスのスペシャリストとして優れた冷却物性のあるドライアイスに着目！ 冷却能力－78.9℃の個体ドライアイスは、今やコールドチェーンには欠かせない存在です。製造・流通・保存・研究等、様々な用途に幅広く利用され、今後ますます需要の拡大が見込まれている分野です。 【ラインアップ/特長】 ■ビーズドライアイス ◎直径3～9ｍｍ、長さ10～25ｍｍビーズ状にカットしたイワタニ独自開...

メーカー・取り扱い企業： 東日本イワタニガス株式会社 開発本部

4MビットFeRAM​「MB85R4M2T」

SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリ…

TSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAM​に置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献します。 ■主な仕様 ・容量（構成）： 4Mビット（256K×16ビット） ・電源電圧...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

1MビットFeRAM​「MB85RS1MT」

ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモ…

x 8ビット） ・インタフェース： SPI （Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（＋85℃） ・パッケージ： 8ピンWL-CSP、8ピンSOP...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​「MB85RQ4ML」

ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ4Mビッ…

： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI /クワッドSPI ・動作電源電圧： 1.7V～1.95V （単一電源） ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・パッケージ： 16ピンSOP...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

不揮発性メモリ 8MビットReRAM 「MB85AS8MT」

業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適

・読出し動作電流：0.15mA（平均値、 5MHz動作時） ・ライトサイクル時間：10ms ・ページサイズ：256Byte ・書込み保証回数：100万回 / 読出し保証回数：無限回 ・データ保持特性：10年（+85℃） ・パッケージ：11ピンWL-CSP、 8ピン SOP...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中

最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、…

・高速書き込みといった揮発性メモリの長所も備えています。 強誘電体にデータを記憶するという構造により、最大10兆回のデータ書き換え回数を実現。 また、書き込み時間が短いため消費電力が少なく、データ保持用の電流は不要です。 EEPROM、SRAMからの置き換えにより、様々な課題解決が期待できます。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM​』

豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ

『FeRAM​（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッ...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

不揮発性メモリ『MB85RQ8MLX』

54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI Fe…

発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社