プローブピンセーバー（異方性導電シート）

PR半導体パッケージの電気検査のプローブピンへの半田転写、先端摩耗及び半田…

『Probe Pin Saver（プローブピンセーバー）』（PPS）は、半導体パッケージの電気検査時に発生するプローブピンへの半田転写、ピンの先端摩耗及び、半導体パッケージの半田ボールダメージを抑制する異方性導電シートです。 半導体パッケージとプローブピン間へ挟んでご使用頂くことで、半田ボールとプローブピンのハードな接触を回避しますので、半田ボールに与えるダメージを軽減すると同時に、プローブピン寿...

メーカー・取り扱い企業： ユナイテッド・プレシジョン・テクノロジーズ株式会社 本社

銅の接合・積層、銅とアルミの接合が可能な、青色半導体レーザー溶接

PR銅の溶接に適した波長のレーザー溶接です。２ｍｍ深さの溶接などが可能な国…

「青色半導体レーザー溶接」とは、工業分野で特に銅素材に対して、 高品質溶接が可能となるレーザースペックです。 IRレーザーと異なる波長帯である、450nmの波長を有する レーザー光を青色レーザーと呼びます。銅などの元素において 吸収率が高いレーザー光です。 青色半導体レーザ光の使用で銅や金のような非鉄金属加工のみならず、異なる金属間同士での結合における新たな可能性も見えております...

メーカー・取り扱い企業： 南海モルディ株式会社（旧：南海鋼材株式会社）

【エージング時間が大幅短縮！】耐プラズマ耐食性YOF保護膜

時代はY2O3からYOFへ！エッチング装置のエージング時間を大幅短縮、…

F膜（酸フッ化イットリウム膜）は、ドライエッチング装置部品の保護膜としてパーティクル低減、装置稼働時間を大幅にアップさせるだけでなく、これまで要したエージング時間を大幅に短縮させることができます。半導体不足が問題となっている昨今、歩留まり向上と装置稼働時間のアップは半導体製造業者にとって至上命題といえます。最先端の製造ラインに導入された、イオンアシスト蒸着法による保護膜は、ドライエッチング装置部...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー

【高耐食性Y2O3/YOF膜事例】エッチング装置部品の保護膜に

溶射やエアロゾルデポジションによる保護膜より遥かに耐食性・耐プラズマ性…

エッチング装置内部材の保護膜に、イオンアシスト蒸着法による耐プラズマ性の高耐食性Y2O3膜（酸化イットリウム膜）, YOF膜（酸フッ化イットリウム膜）を使用した事例をご紹介します。 半導体の微細化は急速に進んでいます。半導体製造競争は歩留まりと装置の稼働時間が大きなカギを握っています。エッチング装置部品の保護膜は、溶射やエアロゾルデポジションによる酸化イットリウム膜が使われていまし...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー

【エッチング装置/アッシング装置部品の保護膜に】Y5O4 F7膜

Y5O4 F7膜は表面フッ素量変化が小さいのでエッチング装置のエージン…

半導体製造工程の一つであるドライエッチングプロセスにおいてウェハ処理を行うと、プロセスガス自体からの生成物やエッチング時の副生成物がチャンバ内壁やチャンバ内のパーツ表面に付着するといった現象が発生すします。これら堆積物の付着によってプロセスの初期と処理後のチャンバ内表面状態が変化することにより、プロセス条件の変動が発生します。このようなプロセス条件の変動を緩和するため、従来技術では製品処理前に類似ウェハ...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー

【独自のイオンアシスト蒸着法による超緻密な厚膜】酸化イットリウム

イオンアシスト蒸着法による超緻密で厚膜形成で半導体歩留と装置稼働時間が…

つばさ真空理研株式会社の『高耐食性Y2O3（酸化イットリウム）膜』についてご紹介します。 「Y2O3」を独自のイオンアシスト蒸着法でアルミナ基板上では15μm、石英ガラス上では10μmの密着性が高く、緻密性の高い厚膜ができます。 用途は、ドライエッチャー部品向け耐プラズマの保護膜です。 ドライエッチャー部品の成膜で良い膜をお探しの方はぜひ、ご相談ください。 【特長】 ■エッチング装置...

メーカー・取り扱い企業： つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー