• 小型真空蒸着装置『HVE-100』【クリーンな成膜を実現!】 製品画像

    小型真空蒸着装置『HVE-100』【クリーンな成膜を実現!】

    PRクリーンな成膜が可能な小型真空蒸着装置!シャッタを具備しているので安定…

    『HVE-100』は省スペースな小型蒸着装置です。基板成膜面は下向きで 設置、抵抗加熱源からの蒸発で上向きに成膜する配置(デポアップ)です。 シャッタを具備しているので安定した状態で蒸着が可能です。 【特長】 ■高真空排気系:<10^-4Paの到達真空度でクリーンな成膜が可能 ■チャンバはメンテナンスしやすいようにSUS製で内部に防着板を配置 ■省スペース/小型化:W500×D39...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイブリッジ 東京営業所

  • 金属同士は勿論、金属と樹脂の接合も可能なCAM接合 技術資料進呈 製品画像

    金属同士は勿論、金属と樹脂の接合も可能なCAM接合 技術資料進呈

    PR【味見試験実施中】多彩な接合を可能にする!様々な性能を付与することがで…

    金属-樹脂、金属-金属接合が可能なCAM接合。 環境に配慮され、使いやすくコストダウンを得意とするCAM接合ですが、 CAM剤の設計により様々な性能を付与することもできます。 詳細な特徴や機能が記載された技術資料をお読みいただけます。 【機能】 ■高強度接合 ■数μm~数十μmの接合層 ■150℃以上の耐熱性 ■低熱抵抗 ■導電性接合 ■耐水性能の向上 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいた...

    メーカー・取り扱い企業: 輝創株式会社 輝創株式会社

  • CZウェーハ エピ受託加工 SiGeエピウェーハ 他 製品画像

    CZウェーハ エピ受託加工 SiGeエピウェーハ 他

    小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

    ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 *直径: 100-200 mm *Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous *Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm *Epi厚: 1-150 um *Stacking fault: 10 /cm2 以下 *Thickness Uniformity: 1% *Resisti...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • 1インチ以下~450mmで提供可能 「CZウェーハ」 製品画像

    1インチ以下~450mmで提供可能 「CZウェーハ」

    1インチ以下~450mmまで提供が可能です。各種成膜加工、FZウェーハ…

    ます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。 また貴社でお持ちのウェーハにEPI成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工なども対応可能です。 CZウェーハ以外にも高抵抗FZウェーハやサファイア、ゲルマニウム、化合物半導体、多結晶シリコンなども取り扱っております。 詳しくはお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • 直径30mm程度~8インチまで対応可能 高抵抗FZウェーハ 製品画像

    直径30mm程度~8インチまで対応可能 高抵抗FZウェーハ

    直径30mm程度から8インチ、高ライフタイム、1万オームを超えるような…

    直径は30mm程度~8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。 センサー用FZウェーハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウェーハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT・ダイオー...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • FZウェーハ FZシリコン製品 ガスドープドFZシリコン 製品画像

    FZウェーハ FZシリコン製品 ガスドープドFZシリコン

    汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…

    0,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A. ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • FZウェーハ FZシリコン製品 パワーデバイス用NTDシリコン 製品画像

    FZウェーハ FZシリコン製品 パワーデバイス用NTDシリコン

    半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます

    NTDシリコン(中性子照射シリコン)は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ(シリコン制御整流器)として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • 3インチ~12インチまで対応可能 「SOIウェーハ」 製品画像

    3インチ~12インチまで対応可能 「SOIウェーハ」

    3インチ~12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…

    CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径:3インチ~12インチ SOI層:2-200um程度(抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能) SiO2(酸化膜)層:0.5-2um程度...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

  • 3インチ、4インチ、6インチに対応可能 「SOSウェーハ」 製品画像

    3インチ、4インチ、6インチに対応可能 「SOSウェーハ」

    直径3インチ、4インチ、6インチのSOSウェーハ(シリコンオンサファイ…

    標準的な主な仕様は下記のようになります。 直径:150mm エピ厚:0.3um+/-10% 面内均一性 um (%):0.05um(16.7%) エピ抵抗:>30ohm cm UVR:<1.0 直径:100mm エピ厚:0.3um+/-10% 面内均一性 um (%):0.05um(16.7%) エピ抵抗:>30、5-30、2.5-10...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社

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