理論計算でビッカース硬さを推算する方法/事例/ソフトウェア

PR機械物性をシミュレーションするためのソフトウェア / 第一原理計算 M…

【技術資料】 材料設計支援統合システム『MedeA』は、原子スケールのシミュレーション技術により機械物性を推算することができるソフトウェアです。当ソフトウェアで推算可能な物性にビッカース硬さが新たに加わりました。材料の組成（およびその結晶構造）の情報のみを元にしてビッカース硬さを精度良く推算することができます。 当資料では、第一原理計算によってビッカース硬さを推算する方法とその適用事例を紹...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社モルシス

フッ素膜【フッ素薄膜処理における真空蒸着法とスプレー法の違い】

PR各処理方法のメリット・デメリットを分かりやすく紹介した資料進呈。受託加…

本資料では、ガラスや金属に撥水性・撥油性・防汚性・離型性などを付与できる フッ素薄膜処理について、真空蒸着法とスプレー法の違いを説明しています。 フッ素薄膜処理は、基材の形状やコストなどの条件に応じた 処理方法の選定が求められます。 フッ素薄膜処理をご検討中の方は、ぜひ本資料をご覧ください。 【掲載内容】 ・フッ素薄膜処理とは ・真空蒸着法、スプレー法とは ・真空蒸着法...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カツラヤマテクノロジー T&K事業部

パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバ…

『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■6...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST