資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

パワーデバイス向けの最新アプリケーションをご紹介！

PR5月の接着・接合 EXPOに出展！パワーデバイス向けの新たなアプリケー…

パワーモジュール端子接合や異種金属の接合など、様々な分野で使用されている、超音波接合装置。ニーズの多様化が進み、より高度な接合が求められることも増えています。 アドウェルズでは、Ｒ＆Ｄから量産まで幅広い用途で独自技術による安定した接合を実現する『超音波接合・切断装置』をラインアップしています。 24年5月開催の接着・接合 EXPOでは、 弊社装置で加工した様々な分野のサンプルを多数展示いたしま...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アドウェルズ

新型コロナウイルスゲノム解析

SARS-CoV-2のゲノム解読、変異解析、系統樹作成を行います

感染症の流行の把握や感染拡大防止を目的とした研究のためには、ウイルス等のゲノム情報を解読することが重要です。NGS（次世代シーケンサー）は、数百塩基のDNA断片を大量に読むことができるため、生物ゲノムの解読に汎用されます。 NGSを用いて新型コロナウイルスのゲノム配列を取得すると、変異箇所の特定や検体間比較などの解...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】量子化学計算によるアゾベンゼン類の電気化学特性評価

電池などに用いられる有機化合物の酸化還元特性・電子状態を予測・評価

還元活性を有する芳香族アゾ化合物は、アルカリイオン電池やレドックスフロー電池において現在主力の金属活物質を代替する低環境負荷の次世代有機活物質として注目されています。 電池性能の評価には、実験に加えシミュレーションを用いた物質の電子構造や酸化還元特性の検討が有用です。本資料では、量子化学計算によりアゾベンゼンとそのカルボン酸...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープし...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。C...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機ELディスプレイの総合評価

構造把握・材料評価・劣化原因特定など各種手法を組み合わせて評価します

有機ELは、自発発光するフレキシブルな次世代ディスプレイ、照明パネルとして期待されておりますが、更なる信頼性の向上が望まれています。各種手法を組み合わせることにより、構造解析や状態分析および劣化原因の特定などの総合評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】劣化の激しい有機材料の状態評価

雰囲気制御下でのサンプリングで材料の正確な評価が可能です

有機ELは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点があり、次世代デバイスの一つとして期待されています。特性向上、長寿命化、信頼性向上等には材料の正確な解析・評価が重要ですが、非常に活性な材料が使用されているため取り扱いには注意が必要です。大気暴露したサンプルと...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS膜の結晶粒評価

SEMによる結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト化・大面積化・高品質化を期待されている次世代の太陽電池として開発が進められており、その際に結晶情報が必要とされています。EBSD法ではCIGS膜の結晶粒評価が可能です。 EBSD法で得られる結晶情報は主に配向性・結晶粒径などです。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST